| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究背景与意义 | 第10-13页 |
| ·集成电路仿真分析简介 | 第10-12页 |
| ·课题来源与研究意义 | 第12-13页 |
| ·本课题的研究现状 | 第13-17页 |
| ·集成电路器件退化效应研究 | 第13-15页 |
| ·集成电路器件可靠性分析仿真工具开发 | 第15-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 MOS器件退化效应 | 第20-28页 |
| ·MOS器件热载流子注入效应 | 第20-24页 |
| ·MOS器件衬底电流和栅电流模型 | 第20-22页 |
| ·热载流子寿命模型 | 第22-23页 |
| ·热载流子退化模型 | 第23-24页 |
| ·NBTI效应研究 | 第24-26页 |
| ·NBTI寿命模型 | 第25-26页 |
| ·NBTI退化模型 | 第26页 |
| ·PBTI效应研究 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 RelXpert简档模式研究与实现 | 第28-40页 |
| ·传统可靠性分析流程和自限制现象 | 第28-30页 |
| ·RelXpert简档模式流程设计 | 第30-32页 |
| ·RelXpert简档模式实现 | 第32-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 RelXpert简档模式实际应用及分析验证 | 第40-52页 |
| ·MOS器件退化率与外部应力条件的关系 | 第40-44页 |
| ·传统可靠性分析流程与简档模式比较 | 第44-47页 |
| ·两种模式与实测值比较 | 第44-45页 |
| ·实际电路中两种模式计算结果比较 | 第45-47页 |
| ·简档模式的分析研究 | 第47-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-56页 |
| ·论文总结 | 第52-53页 |
| ·展望 | 第53-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第62页 |