集成电路中ESD防护器件的仿真研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·集成电路中的ESD现象的简述 | 第8-12页 |
| ·集成电路中的ESD测试 | 第12-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-15页 |
| ·论文的主要工作及内容安排 | 第15-16页 |
| 2 ESD防护器件的基本原理 | 第16-30页 |
| ·电阻 | 第16-18页 |
| ·二极管 | 第18-19页 |
| ·金属氧化物半导体 | 第19-24页 |
| ·常态 | 第19-21页 |
| ·电学连接与触发点 | 第21-22页 |
| ·负阻区与握住点 | 第22-23页 |
| ·正阻区与二次击穿 | 第23-24页 |
| ·可控硅整流管 | 第24-29页 |
| ·器件结构 | 第25页 |
| ·等效电路 | 第25-26页 |
| ·ESD过程分析 | 第26-27页 |
| ·I-V曲线 | 第27-28页 |
| ·LVTSCR器件的性能研究 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 3 仿真中的数学处理 | 第30-39页 |
| ·TCAD仿真软件的介绍 | 第30页 |
| ·仿真中的数学方程 | 第30-38页 |
| ·仿真中的基本方程 | 第30-31页 |
| ·仿真中的模型方程 | 第31-38页 |
| ·仿真中的数值计算 | 第38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 4 ESD基本防护器件的仿真 | 第39-63页 |
| ·二极管的HBM仿真 | 第39-45页 |
| ·仿真描述 | 第39-43页 |
| ·仿真结果分析 | 第43-45页 |
| ·MOS管的仿真 | 第45-62页 |
| ·工艺仿真 | 第45-53页 |
| ·器件仿真 | 第53-61页 |
| ·工艺参数的影响 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 5 SOI工艺中的ESD防护器件设计 | 第63-76页 |
| ·SOI工艺的简介 | 第63-67页 |
| ·体硅工艺发展中遇到的问题 | 第63-64页 |
| ·SOI技术的特点与优势 | 第64-65页 |
| ·SOI技术存在的问题 | 第65-67页 |
| ·衬底二极管 | 第67-75页 |
| ·衬底二极管与表面二极管 | 第67-68页 |
| ·生成器件 | 第68-69页 |
| ·仿真结果 | 第69-73页 |
| ·新问题以及解决方法 | 第73-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
