ASIC版图设计中的光刻缺陷研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 集成电路概况 | 第10-18页 |
| ·集成电路发展 | 第10页 |
| ·集成电路设计 | 第10-14页 |
| ·集成电路设计发展 | 第10-12页 |
| ·集成电路设计EDA | 第12-14页 |
| ·集成电路芯片制造工艺 | 第14-15页 |
| ·集成电路可制造性设计 | 第15-18页 |
| 2 光刻及光刻缺陷产生的原因 | 第18-28页 |
| ·光刻工艺 | 第18-19页 |
| ·曝光系统 | 第19-24页 |
| ·光刻机 | 第19-23页 |
| ·光刻光源 | 第23-24页 |
| ·光刻缺陷产生的原因 | 第24-28页 |
| 3 目前光刻缺陷解决手段 | 第28-36页 |
| ·光学接近修正 | 第28-30页 |
| ·移相掩膜 | 第30-31页 |
| ·离轴照明 | 第31-33页 |
| ·次分辨率辅助图形技术 | 第33-34页 |
| ·双重图形技术 | 第34-36页 |
| 4 后端设计中针对光刻(lihto)的DFM | 第36-51页 |
| ·版图数据准备 | 第36-38页 |
| ·可制造性设计流程 | 第38-39页 |
| ·65nm光刻工艺仿真 | 第39-40页 |
| ·仿真结果 | 第40-42页 |
| ·数据分析 | 第42-47页 |
| ·修改 | 第47-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |