涂布显像工艺的优化改进
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| 1.1 半导体制造工艺的发展 | 第10页 |
| 1.2 本文主要工作 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 半导体黄光微影制程介绍 | 第12-29页 |
| 2.1 半导体行业介绍 | 第12-15页 |
| 2.2 半导体生产介绍 | 第15-22页 |
| 2.3 黄光微影制程介绍 | 第22-29页 |
| 2.3.1 黄光微影制程流程 | 第22-23页 |
| 2.3.2 黄光微影制程要求 | 第23-24页 |
| 2.3.3 涂底工艺 | 第24页 |
| 2.3.4 涂布工艺 | 第24-25页 |
| 2.3.5 软烘工艺 | 第25-26页 |
| 2.3.6 对准及曝光工艺 | 第26页 |
| 2.3.7 曝光后烘烤工艺 | 第26-27页 |
| 2.3.8 显影工艺 | 第27页 |
| 2.3.9 硬烤工艺 | 第27页 |
| 2.3.10显影后检验 | 第27-29页 |
| 第三章 缺陷成因分析 | 第29-41页 |
| 3.1 何为缺陷 | 第29页 |
| 3.2 缺陷的种类 | 第29-36页 |
| 3.2.1 表面掉落缺陷 | 第29-30页 |
| 3.2.2 球状缺陷 | 第30-31页 |
| 3.2.3 光阻倒塌缺陷 | 第31-32页 |
| 3.2.4 光阻残留缺陷 | 第32-33页 |
| 3.2.5 气泡缺陷 | 第33-34页 |
| 3.2.6 嵌入式缺陷 | 第34页 |
| 3.2.7 图形缺失缺陷 | 第34-35页 |
| 3.2.8 桥型缺陷 | 第35-36页 |
| 3.2.9 微生物缺陷 | 第36页 |
| 3.3 缺陷成因 | 第36-41页 |
| 3.3.1 光阻残留和表面掉落缺陷的成因 | 第37页 |
| 3.3.2 光阻倒塌缺陷的成因 | 第37-38页 |
| 3.3.3 球状缺陷的成因 | 第38-39页 |
| 3.3.4 图形缺失和嵌入式缺陷的成因 | 第39页 |
| 3.3.5 气泡缺陷的成因 | 第39-40页 |
| 3.3.6 桥状缺陷的成因 | 第40-41页 |
| 第四章 缺陷产生的预防研究 | 第41-56页 |
| 4.1 缺陷对制程的影响 | 第41页 |
| 4.2 缺陷产生的预防研究 | 第41-56页 |
| 4.2.1 在涂底制程时的预防 | 第44-46页 |
| 4.2.2 在涂布制程时的预防 | 第46-51页 |
| 4.2.3 在显影制程时的预防 | 第51-53页 |
| 4.2.4 在软烘与硬烤制程时的预防 | 第53-54页 |
| 4.2.5 在其他制程手法上的改进 | 第54-56页 |
| 第五章 线宽的优化改进 | 第56-70页 |
| 5.1 何谓线宽 | 第56页 |
| 5.2 决定线宽的外部条件 | 第56-60页 |
| 5.3 实现理想线宽的工艺要求 | 第60-61页 |
| 5.4 显影工艺的优化改进实验 | 第61-70页 |
| 5.4.1 实验的产生缘由和设计思路 | 第61-62页 |
| 5.4.2 显影工艺对线宽的优化实验 | 第62-66页 |
| 5.4.3 显影工艺对缺陷的优化实验 | 第66-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-71页 |
| 6.1 本文的主要贡献 | 第70页 |
| 6.2 下一步工作的展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
