| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT器件的发展概况 | 第10-11页 |
| 1.3 本课题的研究意义 | 第11页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 FS IGBT的基本理论 | 第13-27页 |
| 2.1 FS IGBT器件的结构 | 第13-14页 |
| 2.2 FS IGBT的静态特性 | 第14-21页 |
| 2.2.1 正向阻断特性 | 第15-16页 |
| 2.2.2 反向阻断特性 | 第16-17页 |
| 2.2.3 正向导通特性 | 第17-20页 |
| 2.2.4 FS IGBT的电流饱和特性 | 第20-21页 |
| 2.3 FS IGBT的动态特性 | 第21-23页 |
| 2.4 IGBT的安全工作区 | 第23-26页 |
| 2.4.1 IGBT器件的闩锁效应 | 第23-24页 |
| 2.4.2 IGBT器件的正向安全工作区 | 第24-25页 |
| 2.4.3 IGBT器件的反向安全工作区 | 第25-26页 |
| 2.4.4 IGBT器件的短路安全工作区 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 600V FS IGBT的设计 | 第27-47页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第27-31页 |
| 3.2 IGBT器件N型漂移区的优化 | 第31-33页 |
| 3.2.1 N型漂移区厚度的优化 | 第31-33页 |
| 3.2.2 电阻率的优化 | 第33页 |
| 3.3 FS层的优化 | 第33-35页 |
| 3.3.1 FS层表面扩散源浓度对器件特性的影响 | 第34页 |
| 3.3.2 FS层扩散时间对器件特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 集电极P+的剂量优化 | 第35-36页 |
| 3.5 P-base的优化 | 第36-38页 |
| 3.6 经优化后的IGBT的电学特性参数 | 第38-40页 |
| 3.7 600V FS IGBT终端工艺设计 | 第40-45页 |
| 3.7.1 器件终端的工艺模拟 | 第40-41页 |
| 3.7.2 600V FS IGBT结终端的仿真以及优化 | 第41页 |
| 3.7.3 初步终端结构设计参数 | 第41-43页 |
| 3.7.4 终端结构优化 | 第43-45页 |
| 3.8 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 600V FS-IGBT版图设计及流片测试 | 第47-57页 |
| 4.1 器件版图的设计 | 第47-49页 |
| 4.1.1 有源区版图设计 | 第47页 |
| 4.1.2 栅电极区的版图设计 | 第47-48页 |
| 4.1.3 终端部分版图的设计 | 第48-49页 |
| 4.2 流片结果测试与分析 | 第49-55页 |
| 4.2.1 静态参数测试 | 第50-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 硕士研究生期间取得的成果 | 第61-62页 |