| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体器件的应用现状 | 第9-11页 |
| 1.3 电子封装的互连技术 | 第11-17页 |
| 1.3.1 焊料合金回流焊技术 | 第12-14页 |
| 1.3.2 导电胶固化技术 | 第14-15页 |
| 1.3.3 低温烧结技术 | 第15-17页 |
| 1.4 IGBT器件的热性能评价 | 第17-20页 |
| 1.4.1 稳态热阻 | 第17-18页 |
| 1.4.2 瞬态热阻 | 第18-20页 |
| 1.5 本文研究意义和主要工作 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第20-21页 |
| 1.5.2 主要工作 | 第21-22页 |
| 第二章 试验材料及试验方法 | 第22-29页 |
| 2.1 试样制备 | 第22-27页 |
| 2.1.1 无压烧结纳米银焊膏 | 第22-24页 |
| 2.1.2 试样制备工艺 | 第24-27页 |
| 2.2 试样测试方法 | 第27-29页 |
| 2.2.1 力学性能测试方法 | 第27-28页 |
| 2.2.2 瞬态热阻测试方法 | 第28-29页 |
| 第三章 瞬态热阻表征方法及其测试系统的研究 | 第29-47页 |
| 3.1 K系数的确定 | 第29-31页 |
| 3.2 瞬态热阻测试系统的设计 | 第31-36页 |
| 3.3 误差分析 | 第36-45页 |
| 3.3.1 环境温度的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 加热功率的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.3 占空比的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.4 加热时间的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 无压烧结纳米银焊膏连接大功率IGBT器件的工艺研究 | 第47-68页 |
| 4.1 无压烧结工艺研究 | 第47-55页 |
| 4.1.1 热重和示差扫描量热分析 | 第47-48页 |
| 4.1.2 烧结过程驱动力 | 第48-50页 |
| 4.1.3 烧结参数的影响 | 第50-55页 |
| 4.2 烧结银接头的瞬态热分析 | 第55-57页 |
| 4.3 连接层空洞对热性能的影响 | 第57-65页 |
| 4.4 瞬态热阻与剪切强度的关系 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |