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基于不同工艺的低电容ESD保护器件的研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-14页
    1.1 研究相关背景及意义第10-11页
    1.2 国内外研究现状和发展态势第11-12页
    1.3 论文的主要内容第12-13页
    1.4 论文的结构安排第13-14页
第二章 ESD保护的基础理论第14-34页
    2.1 ESD保护基本概念第14页
    2.2 ESD物理模型以及测试模型第14-22页
        2.2.1 人体模型HBM第15-16页
        2.2.2 机器模型MM第16-18页
        2.2.3 器件充电模型CDM第18-20页
        2.2.4 传输线模型TLP第20-22页
        2.2.5 IEC测试模型第22页
    2.3 片上ESD设计理念及ESD设计流程第22-25页
        2.3.1 ESD设计窗口第23-24页
        2.3.2 ESD保护器件设计理念第24-25页
    2.4 ESD保护基本器件原理及模型第25-30页
        2.4.1 二极管第25-26页
        2.4.2 双极型晶体管BJT第26-27页
        2.4.3 绝缘栅场效应晶体管MOSFET第27-29页
        2.4.4 可控硅SCR第29-30页
    2.5 射频IC电路ESD设计要求第30-31页
    2.6 低电容ESD器件的研究背景及测试方法第31-33页
    2.7 本章小结第33-34页
第三章 基于 0.18μm CMOS工艺的低电容ESD保护器件的研究第34-47页
    3.1 二极管器件的结构设计、电容分析及测试优化第34-38页
        3.1.1 二极管的结构设计第34-35页
        3.1.2 二极管的电容分析第35-36页
        3.1.3 二极管的测试结果及分析第36-38页
    3.2 SCR器件的结构设计、电容分析及测试优化第38-46页
        3.2.1 SCR器件的电容分析第38-39页
        3.2.2 SCR器件的结构设计第39-41页
        3.2.3 SCR器件的测试结果及分析第41-46页
    3.3 本章小结第46-47页
第四章 基于 0.35μm SiGe工艺的低电容ESD保护器件的研究第47-59页
    4.1 0.35μm SiGe工艺介绍第47页
    4.2 SiGe HBT器件的器件结构、电容分析及测试优化第47-51页
        4.2.1 SiGe HBT器件的结构设计第48页
        4.2.2 SiGe HBT器件的电容分析第48-49页
        4.2.3 SiGe HBT器件的测试及分析第49-51页
    4.3 新型自触发堆栈型低电容ESD保护器件第51-57页
        4.3.1 自触发堆栈型低电容ESD保护器件结构第52页
        4.3.2 自触发堆栈型低电容ESD保护器件仿真结果第52-55页
        4.3.3 自触发堆栈型低电容ESD保护器件电容分析第55-56页
        4.3.4 自触发堆栈型低电容ESD保护器件测试结果及分析第56-57页
    4.4 本章小结第57-59页
第五章 基于 55nm RF CMOS工艺的低电容ESD保护器件的研究第59-69页
    5.1 二极管串器件结构设计、电容分析及测试优化第59-63页
        5.1.1 二极管串器件的结构设计第59-60页
        5.1.2 二极管串器件的电容分析第60-61页
        5.1.3 二极管串器件的测试与优化第61-63页
    5.2 二极管触发SCR的结构设计、电容分析及测试优化第63-68页
        5.2.1 二极管触发SCR器件的结构设计第63-64页
        5.2.2 二极管触发SCR器件的电容分析第64页
        5.2.3 二极管触发SCR器件的测试优化第64-68页
    5.3 本章小结第68-69页
第六章 总结与展望第69-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-75页
攻读硕士学位期间取得的成果第75-76页

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