| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究相关背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第12-13页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 ESD保护的基础理论 | 第14-34页 |
| 2.1 ESD保护基本概念 | 第14页 |
| 2.2 ESD物理模型以及测试模型 | 第14-22页 |
| 2.2.1 人体模型HBM | 第15-16页 |
| 2.2.2 机器模型MM | 第16-18页 |
| 2.2.3 器件充电模型CDM | 第18-20页 |
| 2.2.4 传输线模型TLP | 第20-22页 |
| 2.2.5 IEC测试模型 | 第22页 |
| 2.3 片上ESD设计理念及ESD设计流程 | 第22-25页 |
| 2.3.1 ESD设计窗口 | 第23-24页 |
| 2.3.2 ESD保护器件设计理念 | 第24-25页 |
| 2.4 ESD保护基本器件原理及模型 | 第25-30页 |
| 2.4.1 二极管 | 第25-26页 |
| 2.4.2 双极型晶体管BJT | 第26-27页 |
| 2.4.3 绝缘栅场效应晶体管MOSFET | 第27-29页 |
| 2.4.4 可控硅SCR | 第29-30页 |
| 2.5 射频IC电路ESD设计要求 | 第30-31页 |
| 2.6 低电容ESD器件的研究背景及测试方法 | 第31-33页 |
| 2.7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于 0.18μm CMOS工艺的低电容ESD保护器件的研究 | 第34-47页 |
| 3.1 二极管器件的结构设计、电容分析及测试优化 | 第34-38页 |
| 3.1.1 二极管的结构设计 | 第34-35页 |
| 3.1.2 二极管的电容分析 | 第35-36页 |
| 3.1.3 二极管的测试结果及分析 | 第36-38页 |
| 3.2 SCR器件的结构设计、电容分析及测试优化 | 第38-46页 |
| 3.2.1 SCR器件的电容分析 | 第38-39页 |
| 3.2.2 SCR器件的结构设计 | 第39-41页 |
| 3.2.3 SCR器件的测试结果及分析 | 第41-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于 0.35μm SiGe工艺的低电容ESD保护器件的研究 | 第47-59页 |
| 4.1 0.35μm SiGe工艺介绍 | 第47页 |
| 4.2 SiGe HBT器件的器件结构、电容分析及测试优化 | 第47-51页 |
| 4.2.1 SiGe HBT器件的结构设计 | 第48页 |
| 4.2.2 SiGe HBT器件的电容分析 | 第48-49页 |
| 4.2.3 SiGe HBT器件的测试及分析 | 第49-51页 |
| 4.3 新型自触发堆栈型低电容ESD保护器件 | 第51-57页 |
| 4.3.1 自触发堆栈型低电容ESD保护器件结构 | 第52页 |
| 4.3.2 自触发堆栈型低电容ESD保护器件仿真结果 | 第52-55页 |
| 4.3.3 自触发堆栈型低电容ESD保护器件电容分析 | 第55-56页 |
| 4.3.4 自触发堆栈型低电容ESD保护器件测试结果及分析 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 基于 55nm RF CMOS工艺的低电容ESD保护器件的研究 | 第59-69页 |
| 5.1 二极管串器件结构设计、电容分析及测试优化 | 第59-63页 |
| 5.1.1 二极管串器件的结构设计 | 第59-60页 |
| 5.1.2 二极管串器件的电容分析 | 第60-61页 |
| 5.1.3 二极管串器件的测试与优化 | 第61-63页 |
| 5.2 二极管触发SCR的结构设计、电容分析及测试优化 | 第63-68页 |
| 5.2.1 二极管触发SCR器件的结构设计 | 第63-64页 |
| 5.2.2 二极管触发SCR器件的电容分析 | 第64页 |
| 5.2.3 二极管触发SCR器件的测试优化 | 第64-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75-76页 |
