带数字自校正的CMOS带隙基准电压源设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·课题主要工作 | 第11-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 带隙基准电压源理论分析 | 第13-26页 |
| ·带隙基准电压源温度补偿 | 第13-16页 |
| ·VBE的温度特性 | 第14-15页 |
| ·温度补偿的实现 | 第15-16页 |
| ·带隙基准电压源性能指标 | 第16-17页 |
| ·带隙基准电压源典型电路 | 第17-19页 |
| ·带隙基准电压源失配分析及其校正技术 | 第19-25页 |
| ·带隙基准电压源失配分析 | 第19-22页 |
| ·带隙基准电压源失配校正技术 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 自校正带隙基准电压源系统设计 | 第26-31页 |
| ·设计思想 | 第26-27页 |
| ·系统架构 | 第27-28页 |
| ·工作流程 | 第28-30页 |
| ·系统指标 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 自校正带隙基准电压源电路设计与仿真 | 第31-52页 |
| ·带修调阵列的带隙基准核心电路设计 | 第31-33页 |
| ·电阻修调阵列电路设计 | 第31-32页 |
| ·带隙基准电压源核心电路设计 | 第32-33页 |
| ·开关电容电路设计 | 第33-35页 |
| ·比较器设计 | 第35-38页 |
| ·前置运算放大器设计 | 第36-37页 |
| ·锁存器设计 | 第37-38页 |
| ·逐次逼近寄存器设计 | 第38-39页 |
| ·时序控制电路设计 | 第39-41页 |
| ·上电复位电路设计 | 第41-42页 |
| ·仿真结果 | 第42-51页 |
| ·带隙基准核心电路仿真 | 第42-44页 |
| ·比较器仿真 | 第44-46页 |
| ·时序控制电路仿真 | 第46-47页 |
| ·上电复位电路仿真 | 第47-48页 |
| ·整体系统仿真 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 版图设计及测试结果 | 第52-63页 |
| ·版图设计 | 第52-56页 |
| ·版图设计规则 | 第52-54页 |
| ·具体版图设计 | 第54-56页 |
| ·测试结果 | 第56-62页 |
| ·自校正功能及基准电压测试 | 第57-59页 |
| ·温度系数和电源抑制比测试 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| ·主要工作 | 第63-64页 |
| ·工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
