| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·研究背景和研究意义 | 第11-14页 |
| ·毫米波 AlGaN/GaN HEMT 器件国内外现状和目前存在的主要问题 | 第14-18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理 | 第19-27页 |
| ·极化效应 | 第19-21页 |
| ·二维电子气的产生原理 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理 | 第22-27页 |
| 第三章 毫米波 AlGaN/GaN HEMT 器件短沟道效应研究 | 第27-45页 |
| ·毫米波 AlGaN/GaN HEMT 器件制备和测试分析 | 第27-29页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件短沟道效应研究 | 第29-43页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件物理建模 | 第29-31页 |
| ·2DEG 分布和能带图 | 第31-32页 |
| ·短沟道效应对器件直流特性的影响 | 第32-40页 |
| ·不同栅长器件的输出特性和转移特性 | 第32-36页 |
| ·阈值电压漂移和跨导下降 | 第36-39页 |
| ·DIBL 和亚阈值摆幅 | 第39-40页 |
| ·短沟道效应对器件频率特性的影响 | 第40-43页 |
| ·纳米栅器件频率特性退化的表现 | 第40-42页 |
| ·频率栅长乘积下降 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 毫米波 AlGaN/GaN HEMT 器件栅结构优化 | 第45-67页 |
| ·栅阻 Rg的计算 | 第45-46页 |
| ·T 栅对器件特性的影响 | 第46-54页 |
| ·T 栅栅足高度对器件电学特性的影响 | 第46-53页 |
| ·T 栅器件建模 | 第46-48页 |
| ·T 栅栅足高度对器件直流特性的影响 | 第48-49页 |
| ·T 栅栅足高度对器件频率特性的影响 | 第49-53页 |
| ·T 栅栅下不同介电常数介质层对器件频率特性的影响 | 第53-54页 |
| ·τ栅对器件特性的影响 | 第54-59页 |
| ·τ栅器件建模 | 第54-55页 |
| ·τ栅对器件直流特性的影响 | 第55-57页 |
| ·τ栅对器件频率特性的影响 | 第57-59页 |
| ·Γ栅对器件特性的影响 | 第59-64页 |
| ·Γ栅器件建模 | 第59-60页 |
| ·Γ栅对器件直流特性的影响 | 第60-61页 |
| ·Γ栅对器件频率特性的影响 | 第61-63页 |
| ·Γ栅与τ栅对比 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 带有背势垒结构的 AlN/GaN HEMT 器件研究 | 第67-80页 |
| ·背势垒结构及 AlN 势垒层的优点 | 第67-68页 |
| ·渐变 Al 组分 AlxGa1-xN 背势垒工作原理 | 第68-70页 |
| ·带渐变 Al 组分 AlGaN 背势垒的 AlN/GaN HEMT 器件研究 | 第70-78页 |
| ·器件建模 | 第70页 |
| ·能带图和 2DEG 分布 | 第70-73页 |
| ·输出特性和转移特性 | 第73-76页 |
| ·频率特性 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 结论 | 第80-82页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第80-81页 |
| ·下一步工作的展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第91-92页 |
