| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·DMOS 器件的雪崩耐量研究现状 | 第10-13页 |
| ·本课题的研究意义 | 第13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 超结原理及 DMOS 器件雪崩耐量的基本理论 | 第15-25页 |
| ·超结结构的原理及其制备工艺 | 第15-17页 |
| ·超结 DMOS 器件的结构和工作原理 | 第17-21页 |
| ·DMOS 器件的雪崩耐量测试原理 | 第21-25页 |
| 第三章 超结 DMOS 器件雪崩耐量的理论研究 | 第25-38页 |
| ·超结 DMOS 器件的寄生电容 | 第25-26页 |
| ·超结 DMOS 器件的关断过程 | 第26-27页 |
| ·超结 DMOS 器件的 UIS 失效机理 | 第27-30页 |
| ·提高超结 DMOS 器件雪崩耐量的方法 | 第30-38页 |
| ·器件工艺方面 | 第30-34页 |
| ·器件版图的改进 | 第34页 |
| ·提高超结 DMOS 器件雪崩耐量的新结构 | 第34-38页 |
| 第四章 超结 DMOS 器件雪崩耐量的实践研究 | 第38-59页 |
| ·超结 DMOS 器件的设计 | 第38-48页 |
| ·元胞和终端的理论及仿真设计 | 第38-43页 |
| ·版图设计 | 第43-48页 |
| ·超结 DMOS 器件测试及分析 | 第48-55页 |
| ·动静态参数测试 | 第49-51页 |
| ·雪崩耐量测试 | 第51页 |
| ·失效分析 | 第51-55页 |
| ·超结 DMOS 器件雪崩耐量的优化 | 第55-56页 |
| ·工艺的优化 | 第55页 |
| ·版图的优化 | 第55-56页 |
| ·改进后流片分析 | 第56-59页 |
| ·静态参数测试 | 第57-58页 |
| ·雪崩耐量测试 | 第58-59页 |
| 第五章 具有高雪崩耐量的超结 DMOS 新结构研究 | 第59-68页 |
| ·新超结 DMOS 器件的结构 | 第59-60页 |
| ·新超结 DMOS 器件提高雪崩耐量的原理 | 第60-62页 |
| ·仿真分析 | 第62-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72-73页 |