MOCVD生长的InGaN/GaN薄膜光电特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料概述 | 第10-11页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物材料、器件研究历程 | 第11-12页 |
| §1.3 GaN及InGaN合金材料的研究 | 第12-16页 |
| §1.4 Ⅲ族氮化物的MOCVD生长 | 第16-20页 |
| §1.4.1 MOCVD及相关设备技术发展现状 | 第16页 |
| §1.4.2 MOCVD的工作原理 | 第16-18页 |
| §1.4.3 MOCVD设备组成 | 第18-19页 |
| §1.4.4 MOCVD技术优点 | 第19-20页 |
| §1.4.5 MOCVD技术缺点 | 第20页 |
| §1.5 光致发光原理及应用 | 第20-22页 |
| §1.5.1 光致发光原理及复合机制 | 第20-22页 |
| §1.5.2 PL谱分析 | 第22页 |
| §1.6 光致发光光谱仪介绍 | 第22-24页 |
| §1.7 本文主要工作 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 InGaN/GaN薄膜发光特性研究 | 第27-46页 |
| §2.1 引言 | 第27页 |
| §2.2 InGaN/GaN薄膜生长 | 第27-28页 |
| §2.3 材料分析 | 第28-31页 |
| §2.4 变温pl测量及分析 | 第31-35页 |
| §2.5 不同生长温度样品的pl研究 | 第35-39页 |
| §2.6 Ⅴ型坑区域与无坑区的pl谱 | 第39-41页 |
| §2.7 样品形貌随生长温度变化分析 | 第41-42页 |
| §2.8 小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 InGaN/GaN薄膜的电学性质研究 | 第46-57页 |
| §3.1 霍尔效应 | 第46-47页 |
| §3.2 范德堡方法 | 第47-48页 |
| §3.3 样品制备及霍尔测量 | 第48-49页 |
| §3.4 霍尔数据分析 | 第49-52页 |
| §3.5 GaN样品的霍尔分析 | 第52-55页 |
| §3.6 小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-59页 |
| 硕士期间发表学术论文和参加学术会议情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
