| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| §1.1 引言 | 第11-12页 |
| §1.2 Ⅲ族元素氮化物的研究历程 | 第12-13页 |
| §1.3 Ⅲ族氮化物的基本性质 | 第13-16页 |
| §1.4 本文所涉及的GaN薄膜材料的发光机制 | 第16-21页 |
| §1.5 本文涉及的InGaN/GaN纳米柱量子阱研究 | 第21-24页 |
| §1.5.1 InGaN/GaN纳米柱量子阱 | 第22-23页 |
| §1.5.2 表面等离激元作用机制 | 第23-24页 |
| §1.6 本文的主要工作 | 第24-25页 |
| 第二章 PL谱测试原理与应用 | 第25-33页 |
| §2.1 引言 | 第25页 |
| §2.2 固体中的光吸收过程 | 第25-27页 |
| §2.2.1 本征吸收 | 第25-26页 |
| §2.2.2 激子吸收 | 第26页 |
| §2.2.3 自由载流子吸收 | 第26页 |
| §2.2.4 定域杂质吸收 | 第26-27页 |
| §2.3 固体中的光发射 | 第27-30页 |
| §2.3.1 本征跃迁(带间跃迁) | 第28-29页 |
| §2.3.2 非本征跃迁 | 第29-30页 |
| §2.3 PL谱的原理及应用 | 第30-31页 |
| §2.4 本文实验所用PL装置及实验条件 | 第31-33页 |
| §2.4.1 实验用PL装置 | 第31页 |
| §2.4.2 实验条件 | 第31-33页 |
| 第三章 GaN薄膜PL谱测试 | 第33-43页 |
| §3.1 引言 | 第33页 |
| §3.2 实验样品 | 第33-35页 |
| §3.3 样品A(u-GaN)实验数据及数据分析 | 第35-38页 |
| §3.3.1 样品A(u-GaN)PL谱数据 | 第35-36页 |
| §3.3.2 样品A(u-GaN)实验结果讨论 | 第36-38页 |
| §3.4 样品B(n-GaN)实验数据及数据分析 | 第38-39页 |
| §3.4.1 样品B(n-GaN)PL谱数据 | 第38-39页 |
| §3.4.2 样品B(n-GaN)实验结果讨论 | 第39页 |
| §3.5 样品C(n-GaN/sapphire)实验数据及数据分析 | 第39-40页 |
| §3.6 三个样品的比较 | 第40-42页 |
| §3.6.1 三个样品的光强比较 | 第40-41页 |
| §3.6.2 三个样品的声子比较 | 第41-42页 |
| §3.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 InGaN/GaN纳米柱量子阱 | 第43-58页 |
| §4.1 引言 | 第43页 |
| §4.2 InGaN化合物中In组分计算 | 第43-44页 |
| §4.3 实验样品 | 第44-46页 |
| §4.4 高In组分样品实验数据及数据分析 | 第46-54页 |
| §4.4.1 高In组分样品实验数据 | 第46-48页 |
| §4.4.2 高In组分样品实验数据处理 | 第48-52页 |
| §4.4.3 高In组分样品实验数据讨论 | 第52-54页 |
| §4.5 低In组分样品实验数据及数据处理 | 第54-56页 |
| §4.5.1 低In组分样品实验数据 | 第54-56页 |
| §4.5.2 低In组分样品实验数据讨论 | 第56页 |
| §4.6 高In组分和低In组分样品比较 | 第56-57页 |
| §4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |