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8b/10b架构SerDes芯片的设计与实现

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-14页
    1.1 本课题的研究背景及研究意义第10-11页
    1.2 国内外的研究现状第11-12页
    1.3 本论文的主要工作第12-14页
第二章 SerDes芯片技术第14-25页
    2.1 SerDes接口概述第14-15页
    2.2 SerDes芯片的常用架构第15-18页
        2.2.1 嵌入时钟架构第15-16页
        2.2.2 位交错架构第16-17页
        2.2.3 并行时钟架构第17页
        2.2.4 8b/10b架构第17-18页
    2.3 8b/10b SerDes的芯片结构第18-24页
        2.3.1 芯片结构分析第18-19页
        2.3.2 8b/10b编解码原理第19-21页
        2.3.3 LVDS收发电路第21-22页
        2.3.4 锁相环第22-23页
        2.3.5 时钟数据恢复第23-24页
    2.4 本章小结第24-25页
第三章 8b/10b编解码电路设计第25-43页
    3.1 8b/10b编码电路设计第25-30页
        3.1.1 8b/10b编码子模块第26-28页
        3.1.2 PRBS产生模块第28-30页
    3.2 8b/10b解码电路设计第30-36页
        3.2.1 8b/10b解码子模块第30-32页
        3.2.2 Comma检测模块第32-35页
        3.2.3 PRBS验证模块第35-36页
    3.3 8b/10b编解码电路联合验证第36-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 LVDS收发电路的设计第43-54页
    4.1 LVDS收发电路概述第43-44页
    4.2 LVDS发送电路第44-48页
        4.2.1 电流模主体驱动电路第44-45页
        4.2.2 均衡电路第45-47页
        4.2.3 发送电路整体仿真第47-48页
    4.3 LVDS接收电路第48-52页
        4.3.1 高速采样接收电路第48-50页
        4.3.2 阻抗匹配电路第50-52页
    4.4 发送接收联合仿真第52-53页
    4.5 本章小结第53-54页
第五章 全芯片的实现与仿真第54-65页
    5.1 全芯片的ESD保护电路第54-57页
    5.2 全芯片的版图实现第57-60页
        5.2.1 实现流程第58-59页
        5.2.2 实现结果第59-60页
    5.3 全芯片仿真第60-64页
        5.3.1 直接耦合条件下的仿真第60-61页
        5.3.2 封装和传输线模型仿真第61-63页
        5.3.3 加电容衰减接收信号下的仿真第63-64页
    5.4 本章小结第64-65页
第六章 总结与展望第65-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-69页
攻读硕士期间取得的研究成果第69-70页

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