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电子封装的电气特性模拟分析

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-10页
    1.1 研究背景与意义第8页
    1.2 研究内容第8-9页
    1.3 论文结构第9-10页
2 电子封装的测量技术分析第10-19页
    2.1 时域反射分析仪(TDR)的工作特性第10-12页
    2.2 向量网络分析仪(VNA)的工作特性及校正第12-13页
    2.3 miniBGA简介第13-14页
    2.4 测量环境的设定第14-17页
        2.4.1 测试工具第15-16页
        2.4.2 测试方法第16-17页
    2.5 测量脚位的决定第17-19页
3 电子封装等效模型的建立与模拟第19-44页
    3.1 集总参数模型的建立第19-25页
        3.1.1 杂散电感选择第21-22页
        3.1.2 杂散电容选择第22-24页
        3.1.3 电器参数第24页
        3.1.4 高频效应第24-25页
    3.2 频域测量与模型模拟结果比较第25-35页
        3.2.1 测试工具的效应第25-28页
        3.2.2 封装导线效应第28-35页
    3.3 离散参数模型的建立第35-44页
        3.3.1 耦合传输线与离散电路转换公式第35-39页
        3.3.2 耦合传输线模型参数选择与模拟第39-41页
        3.3.3 离散模型第41-44页
4 电子封装的电磁模拟过程第44-54页
    4.1 Quick 3D软件说明第44-51页
        4.1.1 电容的计算第45-46页
        4.1.2 Multi-pole电容的计算第46-48页
        4.1.3 Partial电感的计算第48-49页
        4.1.4 Multi-pole电感的计算第49-50页
        4.1.5 Maxwell Q3D模拟过程第50-51页
    4.2 电磁模拟参数选择结果第51-52页
    4.3 电磁模拟与集总参数模型比较第52-54页
5 电子封装的信号完整性分析第54-71页
    5.1 同步切换杂讯的原理第54-62页
        5.1.1 瞬间切换噪声仿真第55-59页
        5.1.2 改善方法第59-62页
    5.2 串音噪声原理第62-71页
        5.2.1 串音噪声仿真第66-70页
        5.2.2 改善方法第70-71页
结论第71-72页
参考文献第72-74页
致谢第74-75页

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