极紫外光刻物镜系统光学设计研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 图目录 | 第13-17页 |
| 表目录 | 第17-18页 |
| 第1章 绪论 | 第18-38页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第18-29页 |
| 1.1.1 集成电路与我们的世界 | 第18-20页 |
| 1.1.2 集成电路与摩尔定律 | 第20页 |
| 1.1.3 集成电路与ITRS | 第20-24页 |
| 1.1.4 集成电路与投影光刻 | 第24-28页 |
| 1.1.5 极紫外光刻 | 第28-29页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第29-33页 |
| 1.2.1 EUVL起源及早期发展 | 第29-30页 |
| 1.2.2 国际EUVL主要进展 | 第30-32页 |
| 1.2.3 国内EUVL研究进展 | 第32-33页 |
| 1.3 本文研究内容及结构安排 | 第33-38页 |
| 1.3.1 研究对象 | 第33页 |
| 1.3.2 论文工作的主要内容 | 第33-34页 |
| 1.3.3 论文的结构安排 | 第34-38页 |
| 第2章 极紫外光刻物镜系统中的光学 薄膜分析 | 第38-62页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 光学薄膜基本理论 | 第39-42页 |
| 2.3 极紫外外多层膜 25 | 第42-44页 |
| 2.4 等效工作界面模型 | 第44-51页 |
| 2.4.1 基本原理 | 第46-47页 |
| 2.4.2 等效工作界面模型建立 | 第47-48页 |
| 2.4.3 模型修正 | 第48-50页 |
| 2.4.4 等效光学系统 | 第50-51页 |
| 2.5 等效工作界面应用 | 第51-60页 |
| 2.5.1 成像兼容性评估 | 第51-59页 |
| 2.5.2 可见光装调模拟试验 | 第59-60页 |
| 2.6 小结 | 第60-62页 |
| 第3章 光学加工误差的频段分析 | 第62-72页 |
| 3.1 引言 | 第62-63页 |
| 3.2 系统杂散光测试原理 | 第63-66页 |
| 3.2.1 杂散光的间接预测 | 第63-65页 |
| 3.2.2 基于Kirk法的杂散光测量 | 第65页 |
| 3.2.3 现有理论局限性 | 第65-66页 |
| 3.3 扩展中频粗粗糙度 | 第66-68页 |
| 3.3.1 最优暗岛尺寸 | 第66-67页 |
| 3.3.2 扩展中频粗糙度频域 | 第67-68页 |
| 3.4 系统杂散光预测 | 第68-70页 |
| 3.4.1 系统元件扩展中频求解 | 第68-70页 |
| 3.4.2 系统杂散光评估 | 第70页 |
| 3.5 小结 | 第70-72页 |
| 第4章 高NA极紫外光刻物镜光学设设计 | 第72-106页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 系统设设计指标 | 第73页 |
| 4.3 系统初始结构可视化设设计 | 第73-84页 |
| 4.3.1 Group 1 | 第74-77页 |
| 4.3.2 Group 3 | 第77-78页 |
| 4.3.3 Group 2 | 第78-81页 |
| 4.3.4 物镜系统初始结构可视化构造 | 第81-84页 |
| 4.4 系统优化设设计 | 第84-92页 |
| 4.4.1 物镜初始结构优化潜力判断 | 第84-87页 |
| 4.4.2 物镜光学系统综合评估优化 | 第87-90页 |
| 4.4.3 极紫外光刻物镜优化设计结果 | 第90-92页 |
| 4.5 系统仿真评估 | 第92-105页 |
| 4.5.1 光刻曝光仿真输入 | 第93-100页 |
| 4.5.2 仿真结果分析 | 第100-105页 |
| 4.6 小结 | 第105-106页 |
| 第5章 光刻成像质量优化设设计 | 第106-126页 |
| 5.1 引言 | 第106-107页 |
| 5.2 阿贝成像原理模型 | 第107页 |
| 5.3 照明优化设设计 | 第107-114页 |
| 5.3.1 离轴照明基本原理 | 第107-108页 |
| 5.3.2 离轴照明 | 第108-109页 |
| 5.3.3 部分相干照明成像 | 第109-110页 |
| 5.3.4 掩模阴影效应 | 第110页 |
| 5.3.5 像质评估 | 第110-112页 |
| 5.3.6 二极照明优化 | 第112-114页 |
| 5.4 相移掩模优化设设计 | 第114-123页 |
| 5.4.1 相移掩模基本原理 | 第115-119页 |
| 5.4.2 基于遗传算法的衰减型相移掩模优化设计 | 第119-123页 |
| 5.5 小结 | 第123-126页 |
| 第6章 高NA极紫外光刻物镜研究 | 第126-138页 |
| 6.1 引言 | 第126页 |
| 6.2 高NA光刻物镜面临的问题 | 第126-129页 |
| 6.2.1 光学设计 | 第128页 |
| 6.2.2 系统产能 | 第128页 |
| 6.2.3 成像性能 | 第128页 |
| 6.2.4 掩模阴影效应 | 第128-129页 |
| 6.3 高NA光刻物镜解决方法 | 第129-136页 |
| 6.3.1 放大倍率 | 第129-131页 |
| 6.3.2 吸收层注入式掩模 | 第131-136页 |
| 6.4 小结 | 第136-138页 |
| 第7章 结论 | 第138-142页 |
| 7.1 工作总结 | 第138-139页 |
| 7.2 主要研究成果及创新点 | 第139-140页 |
| 7.3 工作展望 | 第140-141页 |
| 7.4 结束语 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-150页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第150-151页 |
| 指导老师及作者简介 | 第151-152页 |
| 致谢 | 第152页 |
