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纳米集成电路软错误评估方法研究

致谢第9-11页
摘要第11-13页
ABSTRACT第13-14页
第一章 绪论第20-32页
    1.1 研究背景及意义第20-21页
    1.2 缩减工艺尺寸引发的可靠性问题第21-23页
    1.3 软错误评估的研究现状第23-29页
        1.3.1 现场测试和计算机仿真第23-25页
        1.3.2 软错误评估存在的问题第25-29页
    1.4 本文主要工作和创新点第29-31页
    1.5 本文的组织结构第31-32页
第二章 纳米集成电路软错误评估问题概述第32-44页
    2.1 基本概念第32-34页
    2.2 软错误的产生第34-39页
        2.2.1 辐射环境第34-37页
        2.2.2 软错误的机理第37-38页
        2.2.3 软错误的屏蔽第38-39页
    2.3 软错误评估目的第39-41页
    2.4 软错误率的决定因素第41-42页
    2.5 本章小结第42-44页
第三章 考虑扇出重汇聚的电路软错误率评估第44-56页
    3.1 单粒子瞬态脉冲的屏蔽效应评估第44-47页
        3.1.1 逻辑屏蔽效应评估第44-47页
        3.1.2 电气屏蔽与时窗屏蔽效应评估第47页
    3.2 考虑扇出重汇聚的软错误率计算第47-50页
        3.2.1 故障模拟电流源模型第47-48页
        3.2.2 单时钟周期错误概率的计算第48-49页
        3.2.3 软错误率的计算第49-50页
    3.3 实验与结果分析第50-52页
    3.4 软错误率的图形化显示第52-55页
    3.5 本章小结第55-56页
第四章 考虑NBTI效应的电路软错误率评估第56-68页
    4.1 NBTI导致单粒子瞬态脉冲的展宽第56-59页
        4.1.1 NBTI模型第56-57页
        4.1.2 占空比与信号概率第57页
        4.1.3 单粒子瞬态脉冲在产生过程中的展宽第57-58页
        4.1.4 单粒子瞬态脉冲在传播过程中的展宽第58-59页
    4.2 PIPB导致单粒子瞬态脉冲的展宽第59-63页
    4.3 考虑NBTI的电路软错误率计算第63-65页
    4.4 实验与结果分析第65-66页
    4.5 本章小结第66-68页
第五章 考虑多时钟周期故障脉冲叠加的锁存窗屏蔽模型第68-82页
    5.1 现有的锁存窗屏蔽模型第68-71页
    5.2 故障脉冲的叠加第71-75页
        5.2.1 扇出重汇聚导致故障脉冲的叠加第71-73页
        5.2.2 单粒子多瞬态故障脉冲的叠加第73-75页
    5.3 提出的锁存窗屏蔽模型第75-77页
    5.4 实验与结果分析第77-80页
        5.4.1 软错误率的计算第77-79页
        5.4.2 实验结果的比较第79-80页
    5.5 本章小结第80-82页
第六章 基于故障概率的电路软错误率评估第82-92页
    6.1 故障概率的建模方法第82-84页
        6.1.1 四值逻辑第82-83页
        6.1.2 双值逻辑第83-84页
    6.2 单粒子瞬态脉冲屏蔽模型第84-86页
        6.2.1 门到锁存器集的数据通路检索算法第84-86页
        6.2.2 电气屏蔽和时窗屏蔽效应评估第86页
    6.3 基于故障概率的软错误率计算第86-88页
    6.4 实验与结果分析第88-91页
    6.5 本章小结第91-92页
第七章 总结与展望第92-96页
    7.1 本文工作总结第92-94页
    7.2 未来工作展望第94-96页
参考文献第96-104页
攻读博士学位期间的学术活动及成果情况第104-105页

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