致谢 | 第9-11页 |
摘要 | 第11-13页 |
ABSTRACT | 第13-14页 |
第一章 绪论 | 第20-32页 |
1.1 研究背景及意义 | 第20-21页 |
1.2 缩减工艺尺寸引发的可靠性问题 | 第21-23页 |
1.3 软错误评估的研究现状 | 第23-29页 |
1.3.1 现场测试和计算机仿真 | 第23-25页 |
1.3.2 软错误评估存在的问题 | 第25-29页 |
1.4 本文主要工作和创新点 | 第29-31页 |
1.5 本文的组织结构 | 第31-32页 |
第二章 纳米集成电路软错误评估问题概述 | 第32-44页 |
2.1 基本概念 | 第32-34页 |
2.2 软错误的产生 | 第34-39页 |
2.2.1 辐射环境 | 第34-37页 |
2.2.2 软错误的机理 | 第37-38页 |
2.2.3 软错误的屏蔽 | 第38-39页 |
2.3 软错误评估目的 | 第39-41页 |
2.4 软错误率的决定因素 | 第41-42页 |
2.5 本章小结 | 第42-44页 |
第三章 考虑扇出重汇聚的电路软错误率评估 | 第44-56页 |
3.1 单粒子瞬态脉冲的屏蔽效应评估 | 第44-47页 |
3.1.1 逻辑屏蔽效应评估 | 第44-47页 |
3.1.2 电气屏蔽与时窗屏蔽效应评估 | 第47页 |
3.2 考虑扇出重汇聚的软错误率计算 | 第47-50页 |
3.2.1 故障模拟电流源模型 | 第47-48页 |
3.2.2 单时钟周期错误概率的计算 | 第48-49页 |
3.2.3 软错误率的计算 | 第49-50页 |
3.3 实验与结果分析 | 第50-52页 |
3.4 软错误率的图形化显示 | 第52-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 考虑NBTI效应的电路软错误率评估 | 第56-68页 |
4.1 NBTI导致单粒子瞬态脉冲的展宽 | 第56-59页 |
4.1.1 NBTI模型 | 第56-57页 |
4.1.2 占空比与信号概率 | 第57页 |
4.1.3 单粒子瞬态脉冲在产生过程中的展宽 | 第57-58页 |
4.1.4 单粒子瞬态脉冲在传播过程中的展宽 | 第58-59页 |
4.2 PIPB导致单粒子瞬态脉冲的展宽 | 第59-63页 |
4.3 考虑NBTI的电路软错误率计算 | 第63-65页 |
4.4 实验与结果分析 | 第65-66页 |
4.5 本章小结 | 第66-68页 |
第五章 考虑多时钟周期故障脉冲叠加的锁存窗屏蔽模型 | 第68-82页 |
5.1 现有的锁存窗屏蔽模型 | 第68-71页 |
5.2 故障脉冲的叠加 | 第71-75页 |
5.2.1 扇出重汇聚导致故障脉冲的叠加 | 第71-73页 |
5.2.2 单粒子多瞬态故障脉冲的叠加 | 第73-75页 |
5.3 提出的锁存窗屏蔽模型 | 第75-77页 |
5.4 实验与结果分析 | 第77-80页 |
5.4.1 软错误率的计算 | 第77-79页 |
5.4.2 实验结果的比较 | 第79-80页 |
5.5 本章小结 | 第80-82页 |
第六章 基于故障概率的电路软错误率评估 | 第82-92页 |
6.1 故障概率的建模方法 | 第82-84页 |
6.1.1 四值逻辑 | 第82-83页 |
6.1.2 双值逻辑 | 第83-84页 |
6.2 单粒子瞬态脉冲屏蔽模型 | 第84-86页 |
6.2.1 门到锁存器集的数据通路检索算法 | 第84-86页 |
6.2.2 电气屏蔽和时窗屏蔽效应评估 | 第86页 |
6.3 基于故障概率的软错误率计算 | 第86-88页 |
6.4 实验与结果分析 | 第88-91页 |
6.5 本章小结 | 第91-92页 |
第七章 总结与展望 | 第92-96页 |
7.1 本文工作总结 | 第92-94页 |
7.2 未来工作展望 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-104页 |
攻读博士学位期间的学术活动及成果情况 | 第104-105页 |