| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·选题意义及背景 | 第8-9页 |
| ·单晶MgO超精密加工技术研究现状 | 第9-11页 |
| ·单晶MgO的物理化学性质 | 第11-12页 |
| ·化学机械抛光技术及研究现状 | 第12-15页 |
| ·化学机械抛光概述 | 第12-14页 |
| ·化学机械抛光技术的发展 | 第14页 |
| ·影响化学机械抛光效率及表面质量的主要因素 | 第14-15页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第15-17页 |
| ·课题来源 | 第15-16页 |
| ·主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 抛光垫特性参数的测定 | 第17-33页 |
| ·抛光垫的特性参数对 CMP效果的影响 | 第17-19页 |
| ·抛光垫特性参数的测定 | 第19-32页 |
| ·抛光垫的种类和结构 | 第19-23页 |
| ·抛光垫的硬度 | 第23-24页 |
| ·抛光垫的表面粗糙度 | 第24-29页 |
| ·抛光垫的可压缩性 | 第29-31页 |
| ·抛光垫承载抛光液的能力 | 第31-32页 |
| ·抛光垫的密度和厚度 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 抛光垫的选择 | 第33-41页 |
| ·实验目的 | 第33页 |
| ·实验方案及评价标准 | 第33-34页 |
| ·实验结果及分析 | 第34-40页 |
| ·抛光垫选择实验 | 第34-38页 |
| ·抛光垫在不同压力下的抛光实验 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 单晶MgO化学机械抛光过程中各影响因素的研究及工艺优化 | 第41-52页 |
| ·抛光液对单晶 MgO基片抛光效果的影响 | 第41-44页 |
| ·抛光压力对单晶 MgO基片抛光效果的影响 | 第44-45页 |
| ·抛光盘转速对单晶MgO基片抛光效果的影响 | 第45-46页 |
| ·抛光液流量对单晶 MgO基片抛光效果的影响 | 第46-47页 |
| ·单晶 MgO基片化学机械抛光工艺优化 | 第47-52页 |
| ·单晶 MgO正交工艺实验 | 第47-48页 |
| ·实验结果分析 | 第48-52页 |
| 5 抛光后单晶 MgO基片面形的研究 | 第52-58页 |
| ·实验方法与实验条件 | 第52-53页 |
| ·实验结果及分析 | 第53-57页 |
| ·抛光液对单晶 MgO基片面形的影响 | 第53-54页 |
| ·抛光压力、转速、抛光液流量对单晶 MgO基片面形的影响 | 第54-55页 |
| ·抛光垫对单晶MgO基片面形的影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第65页 |