单颗磨粒磨削硅片的试验研究
| 独创性说明 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·选题背景及其意义 | 第9-13页 |
| ·课题研究的目的与意义 | 第9-10页 |
| ·课题来源 | 第10页 |
| ·单晶硅的性质 | 第10-12页 |
| ·单晶硅的制备技术及其发展趋势 | 第12-13页 |
| ·硅片超精密/纳米磨削技术的研究现状 | 第13-20页 |
| ·纳米磨削技术在硅片制造中的应用概述 | 第13-15页 |
| ·硅片的延性域磨削机理研究 | 第15-19页 |
| ·磨削硅片表面层损伤的研究 | 第19-20页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第20-21页 |
| 2 单颗磨粒磨削试验方案的设计和低速划痕试验研究 | 第21-35页 |
| ·低速划痕试验研究 | 第21-27页 |
| ·试验方案设计 | 第21-22页 |
| ·试验结果与分析 | 第22-27页 |
| ·单颗磨粒磨削试验方案的设计 | 第27-34页 |
| ·现有的单颗磨粒磨削的常用方法 | 第27-28页 |
| ·试验方案设计 | 第28-34页 |
| ·检测方法 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 延性域磨削实现的评定方法研究 | 第35-49页 |
| ·本文使用的单晶硅延性域磨削检测方法 | 第35页 |
| ·扫描电子显微镜法 | 第35-37页 |
| ·改进的角度抛光法 | 第37-41页 |
| ·试验原理及步骤 | 第37-39页 |
| ·试验结果与分析 | 第39-41页 |
| ·基于扫描白光干涉原理的三维表面轮廓仪法 | 第41页 |
| ·透射电子显微镜法 | 第41-46页 |
| ·TEM样品的制备 | 第42-44页 |
| ·试验结果与分析 | 第44-46页 |
| ·显微 Raman光谱分析法 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 4 单晶硅的脆性—延性转变及临界切削深度研究 | 第49-73页 |
| ·单颗磨粒磨削硅片后的试验结果 | 第49-63页 |
| ·磨粒的尖端形状对单晶硅脆性—延性转变的影响 | 第63-65页 |
| ·单晶硅超精密磨削过程中脆性—延性转变试验研究 | 第65-67页 |
| ·单颗磨粒磨削的临界切削深度研究 | 第67-69页 |
| ·晶体方向对临界切削深度的影响 | 第69-70页 |
| ·硅片自旋转磨削的磨粒临界切削深度研究 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第80页 |
