二氧化硅介质层CMP抛光液配方研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-20页 |
·选题意义 | 第10-12页 |
·介质层CMP的研究现状和发展趋势 | 第12-15页 |
·CMP技术简介 | 第12-13页 |
·介质层CMP简介 | 第13-14页 |
·CMP技术的现状和发展趋势 | 第14-15页 |
·IC制程中的二氧化硅介质层及抛光液简介 | 第15-18页 |
·二氧化硅的性质及用途 | 第15-17页 |
·抛光液简介 | 第17-18页 |
·二氧化硅介质层抛光液存在的问题 | 第18页 |
·本课题的研究内容 | 第18-20页 |
·课题的学术思想、特色和预期达到的成果和水平 | 第18-19页 |
·研究内容及要解决的问题 | 第19-20页 |
2 抛光液配方方案设计 | 第20-33页 |
·二氧化硅CMP原理及影响抛光质量的因素 | 第20-27页 |
·表面水合 | 第20-22页 |
·表面双电层 | 第22-23页 |
·其它常见模型 | 第23-25页 |
·影响抛光质量的因素 | 第25-27页 |
·配方设计规划 | 第27-29页 |
·成分选择 | 第27-29页 |
·性能优化 | 第29页 |
·抛光液性能评价指标 | 第29-30页 |
·材料去除率 | 第29-30页 |
·表面粗糙度 | 第30页 |
·分散性 | 第30页 |
·试验设备和材料 | 第30-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
3 抛光液成分选择 | 第33-58页 |
·pH值调节剂的选择 | 第34-41页 |
·碱的性质 | 第34页 |
·无机碱试验 | 第34-37页 |
·有机碱试验 | 第37-41页 |
·磨料的选择 | 第41-45页 |
·试验条件及安排 | 第41-42页 |
·试验结果与分析 | 第42-45页 |
·活性剂的选择 | 第45-54页 |
·抛光液分散系的特点 | 第45页 |
·表面活性剂概述 | 第45-47页 |
·表面活性剂的亲水亲油平衡性 | 第47-48页 |
·表面活性剂的吸附模型和性质 | 第48-50页 |
·表面活性剂在CMP中的应用 | 第50-52页 |
·表面活性剂试验 | 第52-54页 |
·添加剂试验 | 第54-57页 |
·试验条件及安排 | 第55页 |
·试验结果与分析 | 第55-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
4 抛光液性能优化 | 第58-73页 |
·抛光液配方优化的意义 | 第58-59页 |
·抛光液配方优化试验 | 第59-69页 |
·试验目的 | 第59页 |
·试验方案选择 | 第59-60页 |
·正交试验安排 | 第60-61页 |
·试验结果分析 | 第61-67页 |
·试验验证 | 第67-69页 |
·抛光液pH值优化试验 | 第69-71页 |
·试验目的 | 第69页 |
·试验条件及安排 | 第69页 |
·试验结果及分析 | 第69-71页 |
·抛光液优化结果 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
结论 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-78页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第80页 |