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二氧化硅介质层CMP抛光液配方研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-20页
   ·选题意义第10-12页
   ·介质层CMP的研究现状和发展趋势第12-15页
     ·CMP技术简介第12-13页
     ·介质层CMP简介第13-14页
     ·CMP技术的现状和发展趋势第14-15页
   ·IC制程中的二氧化硅介质层及抛光液简介第15-18页
     ·二氧化硅的性质及用途第15-17页
     ·抛光液简介第17-18页
   ·二氧化硅介质层抛光液存在的问题第18页
   ·本课题的研究内容第18-20页
     ·课题的学术思想、特色和预期达到的成果和水平第18-19页
     ·研究内容及要解决的问题第19-20页
2 抛光液配方方案设计第20-33页
   ·二氧化硅CMP原理及影响抛光质量的因素第20-27页
     ·表面水合第20-22页
     ·表面双电层第22-23页
     ·其它常见模型第23-25页
     ·影响抛光质量的因素第25-27页
   ·配方设计规划第27-29页
     ·成分选择第27-29页
     ·性能优化第29页
   ·抛光液性能评价指标第29-30页
     ·材料去除率第29-30页
     ·表面粗糙度第30页
     ·分散性第30页
   ·试验设备和材料第30-32页
   ·本章小结第32-33页
3 抛光液成分选择第33-58页
   ·pH值调节剂的选择第34-41页
     ·碱的性质第34页
     ·无机碱试验第34-37页
     ·有机碱试验第37-41页
   ·磨料的选择第41-45页
     ·试验条件及安排第41-42页
     ·试验结果与分析第42-45页
   ·活性剂的选择第45-54页
     ·抛光液分散系的特点第45页
     ·表面活性剂概述第45-47页
     ·表面活性剂的亲水亲油平衡性第47-48页
     ·表面活性剂的吸附模型和性质第48-50页
     ·表面活性剂在CMP中的应用第50-52页
     ·表面活性剂试验第52-54页
   ·添加剂试验第54-57页
     ·试验条件及安排第55页
     ·试验结果与分析第55-57页
   ·本章小结第57-58页
4 抛光液性能优化第58-73页
   ·抛光液配方优化的意义第58-59页
   ·抛光液配方优化试验第59-69页
     ·试验目的第59页
     ·试验方案选择第59-60页
     ·正交试验安排第60-61页
     ·试验结果分析第61-67页
     ·试验验证第67-69页
   ·抛光液pH值优化试验第69-71页
     ·试验目的第69页
     ·试验条件及安排第69页
     ·试验结果及分析第69-71页
   ·抛光液优化结果第71-72页
   ·本章小结第72-73页
结论第73-75页
参考文献第75-78页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第78-79页
致谢第79-80页
大连理工大学学位论文版权使用授权书第80页

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