| 第一章 绪论 | 第1-17页 |
| 1．1 集成电路可制造性工程 | 第5-7页 |
| 1．2 集成电路参数成品率的研究 | 第7-9页 |
| 1．3 集成电路功能成品率模拟及其意义 | 第9-11页 |
| 1．4 集成电路功能成品率模拟的研究现状 | 第11-16页 |
| 1．5 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 硅片上缺陷的模型 | 第17-23页 |
| 2．1 工艺过程的描述 | 第17页 |
| 2．2 缺陷类型 | 第17-22页 |
| 2．2．1 冗余物缺陷 | 第18-20页 |
| 2．2．2 丢失物缺陷 | 第20-21页 |
| 2．2．3 氧化物针孔缺陷 | 第21-22页 |
| 2．2．4 结泄漏孔缺陷 | 第22页 |
| 2．3 模型假设 | 第22-23页 |
| 第三章 缺陷粒径统计分布的研究 | 第23-79页 |
| 3．1 缺陷粒径统计的意义 | 第23-27页 |
| 3．2 缺陷粒径统计数据的测试 | 第27-32页 |
| 3．2．1 传统的缺陷统计数据测试结构 | 第27-28页 |
| 3．2．2 缺陷统计数据的双桥测试结构 | 第28-32页 |
| 3．2．3 用于真实缺陷轮廓提取的测试结构 | 第32页 |
| 3．3 传统缺陷轮廓模型存在的问题 | 第32-48页 |
| 3．3．1 圆形缺陷引起故障概率的表征 | 第34-36页 |
| 3．3．2 真实缺陷轮廓的局部等效圆形缺陷表征 | 第36-43页 |
| 3．3．3 现有缺陷轮廓模型误差的实验分析 | 第43-48页 |
| 3．4 真实缺陷轮廓特征参数的提取和分析 | 第48-59页 |
| 3．4．1 真实缺陷轮廓特征参数的提取 | 第48-52页 |
| 3．4．2 真实缺陷轮廓特征参数的分析 | 第52-55页 |
| 3．4．3 真实缺陷轮廓特征参数分布的检验 | 第55-59页 |
| 3．5 真实缺陷轮廓的分形插值模拟 | 第59-72页 |
| 3．5．1 分形理论基础 | 第60-63页 |
| 3．5．2 真实缺陷轮廓的分形特征 | 第63-65页 |
| 3．5．3 真实缺陷轮廓的分形插值模拟 | 第65-72页 |
| 3．6 真实缺陷轮廓方向尺寸估计的分段线性插值模型 | 第72-78页 |
| 3．7 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 集成电路关键面积估计及成品率预报 | 第79-93页 |
| 4．1 现有的基于圆形缺陷模型的关键面积计算方法 | 第79-82页 |
| 4．2 基于非圆形缺陷模型的关键面积计算方法 | 第82-85页 |
| 4．2．1 基于真实缺陷方向尺寸函数d（θ）的关键面积计算 | 第83-84页 |
| 4．2．2 基于真实缺陷方向尺寸函数估计的关键面积计算 | 第84-85页 |
| 4．3 基于不同缺陷轮廓模型的关键面积估计的实验结果 | 第85-92页 |
| 4．4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第五章 与丢失物缺陷有关的IC互连电迁徙模型 | 第93-104页 |
| 5．1 电迁徙问题及其模拟 | 第93-95页 |
| 5．2 “蛇状”测试结构的电迁徙模型 | 第95-99页 |
| 5．3 IC互连的电迁徙模型 | 第99-103页 |
| 5．4 本章小结 | 第103-104页 |
| 第六章 主要研究结果 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-115页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第115-116页 |
