摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-20页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 半导体量子点光电性质 | 第12-15页 |
1.2.1 量子限域效应 | 第12-13页 |
1.2.2 表面效应 | 第13-14页 |
1.2.3 量子点的发光机理与光学特性 | 第14-15页 |
1.3 基于量子点的发光二极管器件及其发展现状 | 第15-18页 |
1.3.1 量子点发光二极管工作原理 | 第15-16页 |
1.3.2 量子点发光二极管器件结构 | 第16-17页 |
1.3.3 量子点发光二极管的界面问题 | 第17-18页 |
1.4 本论文的主要研究内容与创新点 | 第18-20页 |
第二章 理论基础及实验研究方法 | 第20-30页 |
2.1 引言 | 第20页 |
2.2 异质结界面调控 | 第20-22页 |
2.2.1 界面能级匹配 | 第20-22页 |
2.2.2 界面调控方法 | 第22页 |
2.3 主要实验仪器 | 第22-24页 |
2.4 量子点发光二极管制备与测试 | 第24-28页 |
2.4.1 量子点发光二极管制备工艺 | 第24-26页 |
2.4.2 量子点发光二极管性能评价与测试方法 | 第26-28页 |
2.5 常用表征技术 | 第28-30页 |
2.5.1 开尔文探针 | 第28页 |
2.5.2 原子力显微镜 | 第28-29页 |
2.5.3 时间分辨荧光光谱 | 第29-30页 |
第三章 蓝光量子点发光二极管的性能改进 | 第30-46页 |
3.1 引言 | 第30-32页 |
3.1.1 蓝光量子点发光二极管的研究现状 | 第30-31页 |
3.1.2 含脂肪胺基团界面材料 | 第31-32页 |
3.2 基于PEI阴极界面的倒装蓝光量子点发光二极管制备与测试 | 第32-35页 |
3.2.1 实验材料 | 第32-33页 |
3.2.2 制备工艺与测试方法 | 第33-35页 |
3.3 基于PEI阴极界面的高效倒装蓝光量子点发光二极管性能与分析 | 第35-45页 |
3.3.1 QLED器件光电性能 | 第35-37页 |
3.3.2 PEI修饰层对ZnO电子传输层光电性质及形貌的影响研究 | 第37-40页 |
3.3.3 ITO阴极界面及QD/ZnO界面的能级变化 | 第40-41页 |
3.3.4 QD/ZnO界面的电荷转移 | 第41-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-46页 |
第四章 基于醇胺类配体原位修饰的QD/ZnO界面调控方法及其在正装QLEDs中的应用研究 | 第46-61页 |
4.1 引言 | 第46-47页 |
4.2 基于醇胺类配体的原位修饰工艺及其在正装QLEDs中的应用 | 第47-50页 |
4.2.1 实验材料 | 第47-48页 |
4.2.2 制备工艺与测试方法 | 第48-50页 |
4.3 实验结果与分析 | 第50-60页 |
4.3.1 乙醇胺原位修饰对于QD薄膜光电特性的影响 | 第50-51页 |
4.3.2 乙醇胺原位修饰对于ZnO薄膜形貌的影响 | 第51-52页 |
4.3.3 正装RGBQLED光电性能 | 第52-56页 |
4.3.4 基于乙醇胺原位修饰的QD/ZnO界面调控机制与方法 | 第56-60页 |
4.4 本章小结 | 第60-61页 |
结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-69页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
附件 | 第72页 |