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量子点发光二极管的界面调控研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 引言第12页
    1.2 半导体量子点光电性质第12-15页
        1.2.1 量子限域效应第12-13页
        1.2.2 表面效应第13-14页
        1.2.3 量子点的发光机理与光学特性第14-15页
    1.3 基于量子点的发光二极管器件及其发展现状第15-18页
        1.3.1 量子点发光二极管工作原理第15-16页
        1.3.2 量子点发光二极管器件结构第16-17页
        1.3.3 量子点发光二极管的界面问题第17-18页
    1.4 本论文的主要研究内容与创新点第18-20页
第二章 理论基础及实验研究方法第20-30页
    2.1 引言第20页
    2.2 异质结界面调控第20-22页
        2.2.1 界面能级匹配第20-22页
        2.2.2 界面调控方法第22页
    2.3 主要实验仪器第22-24页
    2.4 量子点发光二极管制备与测试第24-28页
        2.4.1 量子点发光二极管制备工艺第24-26页
        2.4.2 量子点发光二极管性能评价与测试方法第26-28页
    2.5 常用表征技术第28-30页
        2.5.1 开尔文探针第28页
        2.5.2 原子力显微镜第28-29页
        2.5.3 时间分辨荧光光谱第29-30页
第三章 蓝光量子点发光二极管的性能改进第30-46页
    3.1 引言第30-32页
        3.1.1 蓝光量子点发光二极管的研究现状第30-31页
        3.1.2 含脂肪胺基团界面材料第31-32页
    3.2 基于PEI阴极界面的倒装蓝光量子点发光二极管制备与测试第32-35页
        3.2.1 实验材料第32-33页
        3.2.2 制备工艺与测试方法第33-35页
    3.3 基于PEI阴极界面的高效倒装蓝光量子点发光二极管性能与分析第35-45页
        3.3.1 QLED器件光电性能第35-37页
        3.3.2 PEI修饰层对ZnO电子传输层光电性质及形貌的影响研究第37-40页
        3.3.3 ITO阴极界面及QD/ZnO界面的能级变化第40-41页
        3.3.4 QD/ZnO界面的电荷转移第41-45页
    3.4 本章小结第45-46页
第四章 基于醇胺类配体原位修饰的QD/ZnO界面调控方法及其在正装QLEDs中的应用研究第46-61页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 基于醇胺类配体的原位修饰工艺及其在正装QLEDs中的应用第47-50页
        4.2.1 实验材料第47-48页
        4.2.2 制备工艺与测试方法第48-50页
    4.3 实验结果与分析第50-60页
        4.3.1 乙醇胺原位修饰对于QD薄膜光电特性的影响第50-51页
        4.3.2 乙醇胺原位修饰对于ZnO薄膜形貌的影响第51-52页
        4.3.3 正装RGBQLED光电性能第52-56页
        4.3.4 基于乙醇胺原位修饰的QD/ZnO界面调控机制与方法第56-60页
    4.4 本章小结第60-61页
结论第61-62页
参考文献第62-69页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第69-71页
致谢第71-72页
附件第72页

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