| 目录 | 第3-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| 1.1 微电子封装技术及其发展 | 第8-10页 |
| 1.1.1 微电子封装技术的功能 | 第8页 |
| 1.1.2 微电子封装技术的发展历史 | 第8-10页 |
| 1.2 微电子封装的电学互连技术 | 第10-13页 |
| 1.2.1 微电子封装的3个层次 | 第10-11页 |
| 1.2.2 微电子封装的电学互连技术 | 第11-13页 |
| 1.3 引线键合技术 | 第13-18页 |
| 1.3.1 引线键合技术及其重要性 | 第13页 |
| 1.3.2 引线键合技术分类 | 第13-14页 |
| 1.3.3 引线键合技术的新进展 | 第14-15页 |
| 1.3.4 铜线键合技术及其研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 本选题的研究目的、意义和内容 | 第18-20页 |
| 1.4.1 研究目的和意义 | 第18页 |
| 1.4.2 研究的内容 | 第18-20页 |
| 第二章 Cu线FAB形成的冷却成球过程 | 第20-32页 |
| 2.1 FAB冷却成形模型 | 第20-24页 |
| 2.1.1 铜线键合工艺简介 | 第20-21页 |
| 2.1.2 FAB形成模型 | 第21-24页 |
| 2.2 FAB的形貌观察及其工艺优化 | 第24-28页 |
| 2.2.1 实验样品信息 | 第24页 |
| 2.2.2 FAB形貌优化目标 | 第24-25页 |
| 2.2.3 FAB形状分析测量模型 | 第25-26页 |
| 2.2.4 4N铜线和镀钯铜线FAB椭球度分析 | 第26-27页 |
| 2.2.5 4N和镀钯铜线FAB形貌分析 | 第27-28页 |
| 2.3 HAZ长度测量 | 第28-31页 |
| 2.3.1 HAZ及其测量方法概述 | 第28-29页 |
| 2.3.2 4N铜线和镀钯铜线HAZ区长度测量 | 第29-31页 |
| 2.4 小结 | 第31-32页 |
| 第三章 Cu线FAB形成的结晶过程 | 第32-42页 |
| 3.1 凝固结晶机理及其模型 | 第32-35页 |
| 3.1.1 Cu线形成FAB的凝固过程 | 第32-33页 |
| 3.1.2 FAB形成中的金属冷却 | 第33-35页 |
| 3.2 铜线FAB显微结构的观察 | 第35-37页 |
| 3.2.1 FIB和SEM背散射电子成像观察铜线FAB的显微结构 | 第35-36页 |
| 3.2.2 化学腐蚀方法对铜线FAB显微结构的观察 | 第36-37页 |
| 3.3 Cu线FAB纳米压痕硬度 | 第37-41页 |
| 3.3.1 纳米压痕的测量原理 | 第38-39页 |
| 3.3.2 铜线及其FAB纳米压痕硬度测量结果 | 第39-41页 |
| 3.4 小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Cu线FAB的热-超声键合 | 第42-50页 |
| 4.1 热-超声键合机理及其模型 | 第42-43页 |
| 4.2 铜线键合点的显微结构 | 第43-46页 |
| 4.3 铜线焊点的微硬度分析 | 第46-48页 |
| 4.4 小结 | 第48-50页 |
| 第五章 Cu线材料的氧化特性 | 第50-63页 |
| 5.1 铜线材料的氧化机理 | 第50-52页 |
| 5.1.1 铜线氧化热力学 | 第50-51页 |
| 5.1.2 铜线氧化动力学 | 第51-52页 |
| 5.2 铜线FAB的氧化状况分析 | 第52-56页 |
| 5.2.1 实验设计及实验步骤 | 第52页 |
| 5.2.2 试验结果及讨论 | 第52-56页 |
| 5.3 键合过程中氧元素的行为 | 第56-59页 |
| 5.4 镀钯Cu线的键合工艺特性 | 第59-62页 |
| 5.4.1 原始镀钯铜线的氧化状况 | 第59-60页 |
| 5.4.2 镀钯铜线键合后的铜铝的界面特征 | 第60-62页 |
| 5.5 小结 | 第62-63页 |
| 第六章 Cu线键合的化学可靠性 | 第63-67页 |
| 6.1 引线键合的金属腐蚀失效问题 | 第63-64页 |
| 6.2 Cu线键合中的腐蚀失效及其模式 | 第64-65页 |
| 6.3 Cu线键合腐蚀失效机理 | 第65-66页 |
| 6.4 小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |