应用于锗硅集成光电芯片的波导垂直耦合结构的研究

摘要	第4-5页
Abstract	第5-6页
1 绪论	第9-17页
1.1 研究背景及意义	第9-12页
1.2 国内外研究现状	第12-15页
1.3 本文主要研究内容	第15-17页
2 层间耦合结构的基本理论及性能仿真	第17-25页
2.1 层间耦合结构的建模理论	第17-19页
2.2 层间耦合结构的数值仿真	第19-24页
2.3 本章小结	第24-25页
3 Ge-SOI层间耦合结构的设计	第25-38页
3.1 Ge-SOI层间耦合结构中的模式分析	第25-27页
3.2 Ge-SOI层间耦合结构的设计	第27-30页
3.3 Ge-SOI层间耦合结构的仿真	第30-31页
3.4 Ge-SOI层间耦合结构的实验	第31-37页
3.5 本章小结	第37-38页
4 基于SiGe材料偏振无关的层间耦合结构的设计	第38-52页
4.1 引言	第38页
4.2 基于SiGe材料层间耦合结构的模式分析	第38-40页
4.3 基于SiGe材料层间耦合结构的设计	第40-44页
4.4 基于SiGe材料层间耦合结构的性能仿真	第44-46页
4.5 基于SiGe材料层间耦合结构的容差分析	第46-51页
4.6 本章小结	第51-52页
5 总结与展望	第52-54页
5.1 总结	第52-53页
5.2 展望	第53-54页
致谢	第54-55页
参考文献	第55-59页
附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录	第59页