| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-29页 |
| 1．1 纳米科学技术与纳米材料概述 | 第6-10页 |
| 1．2 MEMS与NEMS技术概述 | 第10-16页 |
| 1．2．1 MEMS技术 | 第10-14页 |
| 1．2．2 NEMS技术 | 第14-16页 |
| 1．3 纳米线及其制备方法概述 | 第16-23页 |
| 1．4 NEMS谐振器概述 | 第23-28页 |
| 1．4．1 NEMS谐振器的主要特点与性能参数 | 第23-24页 |
| 1．4．2 NEMS谐振器的常用材料 | 第24-25页 |
| 1．4．3 NEMS谐振器的主要制备工艺 | 第25-27页 |
| 1．4．4 NEMS谐振器的激励与检测手段 | 第27-28页 |
| 1．5 本论文的主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 基于MEMS的硅纳米线制造工艺与电学性质研究 | 第29-50页 |
| 2．1 基于MEMS的硅纳米线设计 | 第29-33页 |
| 2．1．1 基本工艺流程设计 | 第29-30页 |
| 2．1．2 版图设计 | 第30-33页 |
| 2．2 硅纳米线制造关键单项工艺研究 | 第33-40页 |
| 2．2．1 绝缘层上的硅(SOI)参数测量 | 第33-35页 |
| 2．2．2 氧化的工艺参数确定 | 第35-36页 |
| 2．2．3 湿法腐蚀的工艺参数确定 | 第36-38页 |
| 2．2．3 LPCVD的工艺参数确定 | 第38页 |
| 2．2．4 光刻的工艺参数确定 | 第38-39页 |
| 2．2．5 干法腐蚀的工艺参数确定 | 第39页 |
| 2．2．6 离子注入的工艺参数确定 | 第39-40页 |
| 2．3 硅纳米线制造完整工艺流程 | 第40-42页 |
| 2．4 硅纳米线的制造结果 | 第42-46页 |
| 2．4．1 光学测量显微镜观察结果 | 第42-44页 |
| 2．4．2 扫描电子显微镜(SEM)结构表征结果 | 第44-46页 |
| 2．5 硅纳米线的电学特性研究 | 第46-49页 |
| 2．6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 基于硅纳米线的NEMS谐振器设计与分析 | 第50-67页 |
| 3．1 基于纳米线的NEMS谐振器设计 | 第50-53页 |
| 3．1．1 典型的NEMS谐振器设计 | 第50-52页 |
| 3．1．2 基于纳米线的NEMS谐振器设计 | 第52-53页 |
| 3．2 基于硅纳米线的NEMS谐振器性质研究与分析 | 第53-66页 |
| 3．2．1 NEMS谐振器工作模态的计算机辅助分析 | 第54-55页 |
| 3．2．2 NEMS谐振器的电学模型研究 | 第55-56页 |
| 3．2．3 NEMS谐振器的噪声分析 | 第56-60页 |
| 3．2．4 NEMS谐振器在静磁场中感生电动势、谐振频率与品质因数的分析与近似计算 | 第60-66页 |
| 3．3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 4．1 本文的工作总结 | 第67页 |
| 4．2 进一步的研究工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 个人简历 | 第74页 |
| 攻读硕士学位期间发表文章 | 第74页 |
