三维集成电路绑定前硅通孔测试技术研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-18页 |
| 1.1.1 集成电路发展历程 | 第16-17页 |
| 1.1.2 三维集成电路问世 | 第17-18页 |
| 1.2 三维集成电路的优势与挑战 | 第18-21页 |
| 1.2.1 三维集成电路的优势 | 第18-20页 |
| 1.2.2 三维集成电路的挑战 | 第20-21页 |
| 1.3 研究内容及研究意义 | 第21-22页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第21页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第21-22页 |
| 1.4 国内外研究状况 | 第22-23页 |
| 1.5 本文概况和章节安排 | 第23-24页 |
| 第二章 硅通孔技术 | 第24-32页 |
| 2.1. 三维互连技术 | 第24-25页 |
| 2.2 硅通孔工艺 | 第25-29页 |
| 2.3 硅通孔电气参数 | 第29-31页 |
| 2.3.1 硅通孔电阻 | 第30页 |
| 2.3.2 硅通孔电容 | 第30-31页 |
| 2.3.3 硅通孔电感 | 第31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 硅通孔测试 | 第32-43页 |
| 3.1 集成电路测试 | 第32页 |
| 3.2 硅通孔缺陷及故障模型 | 第32-35页 |
| 3.3 现有硅通孔测试方法 | 第35-42页 |
| 3.3.1 分压比较法 | 第35-36页 |
| 3.3.2 把TSV看作存储器单元 | 第36-38页 |
| 3.3.3 基于环形振荡器的测试方法 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于环形振荡器的绑定前硅通孔测试 | 第43-57页 |
| 4.1 HSPICE仿真工具简介 | 第43-44页 |
| 4.2 问题的提出 | 第44-45页 |
| 4.3 电气模型 | 第45-46页 |
| 4.4 TSV接收器对测试分辨率的影响 | 第46-49页 |
| 4.5 本文测试方案 | 第49-52页 |
| 4.5.1 测试结构 | 第49-51页 |
| 4.5.2 同时具有两种故障的TSV测试 | 第51-52页 |
| 4.6 实验结果与分析 | 第52-56页 |
| 4.6.1 工艺偏差下的测试分辨率对比 | 第52-55页 |
| 4.6.2 本文方案的有效性 | 第55-56页 |
| 4.6.3 面积开销 | 第56页 |
| 4.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57页 |
| 5.2 下一步工作 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第64页 |
