纳米工艺下基于加固设计的抗辐射电路研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 引言 | 第14-21页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第14-17页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 课题来源 | 第19页 |
| 1.4 本课题主要研究内容 | 第19页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 相关背景知识介绍 | 第21-36页 |
| 2.1 空间辐射环境简介 | 第21-23页 |
| 2.1.1 银河宇宙射线 | 第21-22页 |
| 2.1.2 太阳粒子事件 | 第22页 |
| 2.1.3 地磁捕获辐射 | 第22-23页 |
| 2.2 辐射效应介绍 | 第23-24页 |
| 2.3 单粒子效应 | 第24-32页 |
| 2.3.1 单粒子的产生机制 | 第24-26页 |
| 2.3.2 单粒子分类 | 第26-27页 |
| 2.3.3 国内外研究现状 | 第27-28页 |
| 2.3.4 单粒子效应模拟试验设备 | 第28-29页 |
| 2.3.5 单粒子效应建模 | 第29-32页 |
| 2.4 EDA仿真工具 | 第32-35页 |
| 2.4.1 Hspice | 第32-34页 |
| 2.4.2 ISE-TCAD | 第34页 |
| 2.4.3 Cadence | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 抗辐射加固技术研究 | 第36-44页 |
| 3.1 相关加固技术介绍 | 第36-39页 |
| 3.1.1 抗辐射加固设计 | 第36页 |
| 3.1.2 标准静态锁存器 | 第36-37页 |
| 3.1.3 C单元的工作原理 | 第37页 |
| 3.1.4 不同加固方案 | 第37-39页 |
| 3.2 不同加固结构分析 | 第39-43页 |
| 3.2.1 三模冗余加固结构 | 第39-40页 |
| 3.2.2 采用C单元和冗余的反馈回路加固结构 | 第40-41页 |
| 3.2.3 基于施密特触发器的方案 | 第41页 |
| 3.2.4 双模互锁单元结构 | 第41-42页 |
| 3.2.5 通过C单元组合的冗余反馈结构 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 抗辐射自恢复容SEU锁存器设计 | 第44-52页 |
| 4.1 结构简介 | 第44页 |
| 4.2 本课题提出加固结构 | 第44-51页 |
| 4.2.1 结构分析 | 第44-46页 |
| 4.2.2 SEU免疫性分析 | 第46页 |
| 4.2.3 仿真验证 | 第46-48页 |
| 4.2.4 性能分析比较 | 第48-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结和展望 | 第52-54页 |
| 5.1 全文总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第57页 |
