| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 刻蚀工艺介绍 | 第6-20页 |
| 第一节 刻蚀工艺的发展 | 第6-10页 |
| 第二节 等离子体干法刻蚀机理 | 第10-13页 |
| 第三节 反应离子刻蚀 | 第13-17页 |
| 第四节 不同类型的等离子体源 | 第17-19页 |
| 第五节 刻蚀的应用和分类 | 第19-20页 |
| 第二章 深亚微米浅沟槽隔离工艺的优化 | 第20-29页 |
| 第一节 浅沟槽隔离(STI)工艺简介 | 第20-24页 |
| 第二节 沟槽圆顶角的优化 | 第24-26页 |
| 第三节 STI的侧壁斜度的优化 | 第26-28页 |
| 第四节 沟槽圆下角的优化 | 第28页 |
| 第五节 优化后的STI对器件性能的影响 | 第28-29页 |
| 第三章 自对准连接孔工艺研究 | 第29-41页 |
| 第一节 引言 | 第29-30页 |
| 第二节 实验设备 | 第30-31页 |
| 第三节 实验量测工具 | 第31-36页 |
| 第四节 SAC刻蚀工艺随气体的变化 | 第36-40页 |
| 第五节 结论 | 第40-41页 |
| 第四章 总结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |