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三维集成电路布图规划及可容错硅通孔规划算法研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第18-27页
    1.1 三维集成电路第18-20页
    1.2 国内外研究现状第20-24页
        1.2.1 3DIC布图规划研究现状第20-21页
        1.2.2 热感知3DIC布图规划研究现状第21-23页
        1.2.3 3DIC TSV容错设计研究现状第23-24页
    1.3 本文的主要研究内容和创新点第24-25页
    1.4 本文的组织结构第25-27页
第2章 三维集成电路布图规划基础知识第27-36页
    2.1 序列对布图表示法第27-29页
    2.2 线长评估模型第29-30页
    2.3 3DIC散热模型第30-32页
        2.3.1 紧凑电阻网络热模型第30-31页
        2.3.2 Hotspot热仿真工具第31-32页
    2.4 3DIC TSV良率第32-34页
    2.5 本章小结第34-36页
第3章 基于蚁群算法和模拟退火算法的三维集成电路布图规划研究第36-53页
    3.1 两阶段算法流程第36-38页
    3.2 蚁群算法阶段第38-46页
        3.2.1 目标函数第38-39页
        3.2.2 信息素定义及更新第39-40页
        3.2.3 启发式参数第40页
        3.2.4 布图解构造第40-45页
        3.2.5 模块层分配第45-46页
    3.3 模拟退火算法阶段第46-47页
    3.4 实验结果和分析第47-51页
        3.4.1 前人工作比较第48-51页
    3.5 本章小结第51-53页
第4章 三维集成电路热布图规划研究第53-71页
    4.1 3DIC热布图规划流程第53-55页
    4.2 温度评估模型第55-58页
        4.2.1 热分布图仿真第55-56页
        4.2.2 芯片温度计算第56-58页
    4.3 模块布图规划第58-59页
    4.4 TSV规划第59-63页
        4.4.1 空白区重分布第59-60页
        4.4.2 TSV分配第60-63页
    4.5 实验结果和分析第63-70页
        4.5.1 参数设置对布图结构性能的影响第63-65页
        4.5.2 热布图规划的效果第65-67页
        4.5.3 前人工作比较第67-70页
    4.6 本章小结第70-71页
第5章 TSV多容错结构生成方法第71-94页
    5.1 问题背景第71-73页
    5.2 f-TSV规划第73-75页
    5.3 s-TSV规划第75-78页
        5.3.1 f-TSV集合的划分第75-77页
        5.3.2 s-TSV分配第77-78页
    5.4 TSV多容错结构生成第78-83页
    5.5 实验结果和分析第83-92页
        5.5.1 TSV容错结构生产方法的效果第83-90页
        5.5.2 前人工作比较第90-92页
    5.6 本章小结第92-94页
第6章 自适应TSV容错结构生成方法第94-114页
    6.1 问题背景第94-98页
    6.2 容错TSV数目计算第98-99页
    6.3 基于整数线性规划的自适应容错结构生成第99-101页
    6.4 基于启发式方法的自适应容错结构生成第101-103页
    6.5 f-TSV集合划分第103-106页
    6.6 实验结果和分析第106-113页
        6.6.1 自适应容错结构生成方法的有效性第106-108页
        6.6.2 前人工作比较第108-113页
    6.7 本章小结第113-114页
第7章 总结与展望第114-116页
    7.1 全文总结第114-115页
    7.2 未来研究展望第115-116页
参考文献第116-122页
致谢第122-123页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第123-124页

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