| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 片上无源器件的应用 | 第10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.4 论文主要工作和设计指标 | 第11-12页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第12-14页 |
| 第2章 片上螺旋电感的特性分析 | 第14-20页 |
| 2.1 片上螺旋电感的几何参数 | 第14页 |
| 2.2 片上螺旋电感的工艺参数 | 第14页 |
| 2.3 片上螺旋电感的性能指标 | 第14-16页 |
| 2.3.1 电感量 | 第14-15页 |
| 2.3.2 品质因数 | 第15页 |
| 2.3.3 自谐振频率 | 第15-16页 |
| 2.4 片上螺旋电感的损耗机制和高频效应 | 第16-19页 |
| 2.4.1 片上螺旋电感的损耗机制 | 第16-17页 |
| 2.4.2 片上螺旋电感的高频效应 | 第17-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 片上螺旋电感的设计 | 第20-32页 |
| 3.1 TSMC 0.18μm CMOS工艺 | 第20-22页 |
| 3.2 片上螺旋电感的电磁场仿真 | 第22-23页 |
| 3.2.1 ADS Momentum仿真软件设置 | 第22-23页 |
| 3.2.2 片上螺旋电感的ADS Momentum仿真 | 第23页 |
| 3.3 片上螺旋电感的几何参数对其性能的影响 | 第23-30页 |
| 3.3.1 内半径R的改变对片上螺旋电感性能的影响 | 第23-25页 |
| 3.3.2 线圈圈数N的改变对片上螺旋电感性能的影响 | 第25-27页 |
| 3.3.3 金属线宽度W的改变对片上螺旋电感性能的影响 | 第27-28页 |
| 3.3.4 相邻金属线间距S的改变对片上螺旋电感性能的影响 | 第28-30页 |
| 3.4 片上螺旋电感的设计流程和优化规则 | 第30-31页 |
| 3.4.1 片上螺旋电感的设计流程 | 第30-31页 |
| 3.4.2 片上螺旋电感的优化规则 | 第31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 片上螺旋电感的建模 | 第32-46页 |
| 4.1 单π等效电路的物理模型 | 第32-34页 |
| 4.1.1 单π模型的串联电感 | 第33页 |
| 4.1.2 单π模型的串联电阻 | 第33-34页 |
| 4.1.3 单π模型的串联电容 | 第34页 |
| 4.1.4 单π模型的衬底寄生参数 | 第34页 |
| 4.2 双π等效电路的物理模型 | 第34-39页 |
| 4.2.1 衬底元件参数 | 第36-37页 |
| 4.2.2 阶梯网络元件参数 | 第37-39页 |
| 4.2.3 模型中其它元件参数 | 第39页 |
| 4.3 片上螺旋电感的模型验证 | 第39-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 片上螺旋电感在实时延时线中的应用 | 第46-78页 |
| 5.1 相控阵天线中的实时延时线 | 第46-47页 |
| 5.2 延时线分类 | 第47-49页 |
| 5.2.1 无源延时线 | 第48页 |
| 5.2.2 有源延时线 | 第48-49页 |
| 5.2.3 延时方法比较 | 第49页 |
| 5.3 模拟延时线电路设计 | 第49-53页 |
| 5.3.1 粗调节延时模块电路设计 | 第50-52页 |
| 5.3.2 细调节延时模块电路设计 | 第52-53页 |
| 5.4 模拟延时线电路版图设计 | 第53-54页 |
| 5.5 仿真结果 | 第54-60页 |
| 5.5.1 后仿真结果 | 第54-57页 |
| 5.5.2 电磁场仿真结果 | 第57-60页 |
| 5.6 双π等效电路物理模型的电路验证 | 第60-61页 |
| 5.7 芯片测试 | 第61-75页 |
| 5.7.1 3级延时线版图和后仿真结果 | 第61-62页 |
| 5.7.2 测试方案 | 第62-64页 |
| 5.7.3 测试仪器 | 第64页 |
| 5.7.4 测试步骤 | 第64-65页 |
| 5.7.5 测试结果和数据分析 | 第65-75页 |
| 5.8 本章小结 | 第75-78页 |
| 第6章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 总结 | 第78页 |
| 6.2 展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第86页 |
