| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 缩略词表 | 第10-14页 |
| 1 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 ESD模型与测试方法 | 第16-27页 |
| 1.2.1 人体模型(HBM) | 第16-20页 |
| 1.2.2 机器模型(MM) | 第20-22页 |
| 1.2.3 组件充电模型(CDM) | 第22-24页 |
| 1.2.4 国际电子工业委员会标准(IEC) | 第24-25页 |
| 1.2.5 传输线脉冲模型(TLP)和ESD设计窗口 | 第25-27页 |
| 1.3 ESD防护的国内外研究及现状 | 第27-29页 |
| 1.4 本论文的主要工作和组织结构 | 第29-32页 |
| 2 低压工艺中的ESD防护研究和设计 | 第32-52页 |
| 2.1 基于二极管的ESD防护研究 | 第32-37页 |
| 2.1.1 二极管的ESD防护原理 | 第32-34页 |
| 2.1.2 影响二极管ESD特性的参数及达林顿效应的研究 | 第34-37页 |
| 2.2 基于MOSFET的ESD防护研究 | 第37-42页 |
| 2.2.1 GGNMOS的ESD防护原理 | 第37-41页 |
| 2.2.2 GGNMOS结构参数对ESD特性的影响研究 | 第41-42页 |
| 2.3 基于SCR的ESD防护研究 | 第42-50页 |
| 2.3.1 SCR的ESD防护原理 | 第42-46页 |
| 2.3.2 改进SCR的ESD特性的方法研究 | 第46-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 3 高压工艺中的ESD防护设计研究 | 第52-70页 |
| 3.1 高压工艺中的ESD自防护研究 | 第53-56页 |
| 3.1.1 高压工艺中N型LDMOS的ESD特性 | 第54-55页 |
| 3.1.2 Kirk效应的原理和改进方法 | 第55-56页 |
| 3.2 高压工艺中的ESD外防护研究设计 | 第56-68页 |
| 3.2.1 高压工艺中作为外防护器件的LDMOS研究 | 第56-59页 |
| 3.2.2 高压工艺中LDMOS-SCR的ESD特性研究 | 第59-60页 |
| 3.2.3 高压工艺中的器件触发电压退化现象 | 第60-66页 |
| 3.2.4 高压器件在高温环境中的性能退化现象 | 第66-68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 4 瞬态电压抑制器(TVS)的研究设计 | 第70-78页 |
| 4.1 常见瞬态电压抑制器的介绍 | 第70-72页 |
| 4.2 多通道TVS阵列的研究与设计 | 第72-78页 |
| 4.2.1 多通道TVS阵列的原理和电流路径 | 第72-74页 |
| 4.2.2 基于二极管触发的LVTSCR的TVS阵列研究与设计 | 第74-78页 |
| 5 总结及展望 | 第78-82页 |
| 5.1 总结 | 第78-79页 |
| 5.2 展望 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第90-91页 |
| 作者简历 | 第90页 |
| 发表和录用的文章 | 第90-91页 |
| 申请的专利 | 第91页 |
