高密度封装基板溅射薄层微结构研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| 1.1 集成电路的发展及趋势 | 第7-10页 |
| 1.2 集成电路封装及高密度基板 | 第10-19页 |
| 1.2.1 封装的发展历程及趋势 | 第10-12页 |
| 1.2.2 集成电路封装中的互连技术 | 第12-15页 |
| 1.2.3 高密度封装基板 | 第15-19页 |
| 1.3 纳米尺寸的失效分析技术 | 第19-20页 |
| 1.3.1 原位分析技术 | 第19页 |
| 1.3.2 非原位分析技术 | 第19-20页 |
| 1.4 研究课题目的及内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 课题研究目的 | 第20-21页 |
| 1.4.2 课题研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 亚微米组织显示和测量 | 第22-30页 |
| 2.1 样品处理方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 截面样品制备技术 | 第22-23页 |
| 2.1.2 FIB制备TEM样品 | 第23-24页 |
| 2.2 亚微米晶粒测量方法概述 | 第24-26页 |
| 2.2.1 XRD半高宽法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 TEM衍射衬度像 | 第25-26页 |
| 2.2.3 浸蚀后SEM | 第26页 |
| 2.2.4 FIB的SIM功能 | 第26页 |
| 2.3 溅射铜层纳米晶粒测量对比分析 | 第26-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 高密度基板中溅射铜层微结构研究 | 第30-35页 |
| 3.1 样品制备 | 第30页 |
| 3.2 无铅回流焊 | 第30-31页 |
| 3.3 XRD测量半高宽法测量晶粒尺寸 | 第31-32页 |
| 3.4 方块电阻的测量 | 第32页 |
| 3.5 表面粗糙度的测量 | 第32-33页 |
| 3.6 结果讨论 | 第33-35页 |
| 第四章 高密度基板中溅射钛层微结构研究 | 第35-44页 |
| 4.1 溅射钛层镀铜后结晶现象 | 第35-37页 |
| 4.1.1 样品制备 | 第35页 |
| 4.1.2 XRD分析 | 第35-37页 |
| 4.2 溅射钛层微结构TEM研究 | 第37-40页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第37页 |
| 4.2.2 溅射钛层TEM分析 | 第37-40页 |
| 4.3 无铅回流焊对溅射钛层微结构的影响 | 第40-43页 |
| 4.3.1 样品制备 | 第40-41页 |
| 4.3.2 XRD/SEM分析 | 第41-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 溅射薄层界面结构异常及失效 | 第44-49页 |
| 5.1 正常和失效溅射薄层界面观察 | 第44-45页 |
| 5.2 样品转移到独体SEM观察 | 第45-47页 |
| 5.3 XPS继续探究 | 第47-48页 |
| 5.4 本章总结 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 硕士期间已发表论文 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
