摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
引言 | 第6-8页 |
1. 电学可靠性设计验证基本情况介绍 | 第8-11页 |
1.1 电学规则检查ERC | 第8页 |
1.2 ESD基本情况及验证需求 | 第8-9页 |
1.2.1 ESD基本情况介绍 | 第8-9页 |
1.2.2 ESD设计验证需求 | 第9页 |
1.3 电学可靠性验证的基本内容 | 第9-10页 |
1.4 本章小结 | 第10-11页 |
2. 电学可靠性验证方法比较与选择 | 第11-23页 |
2.1 Cadence原理图编辑工具Composer电学规则检查 | 第11-13页 |
2.2 Synopsys Hsim仿真工具电学可靠性验证 | 第13-15页 |
2.3 内部PERL脚本电学可靠性验证 | 第15-18页 |
2.4 Calibre PERC工具的电学可靠性验证 | 第18-22页 |
2.5 本章小结 | 第22-23页 |
3. PERC规则文件编写实现内部脚本的验证功能 | 第23-31页 |
3.1 内部脚本功能整理合并 | 第23-24页 |
3.2 规则文件内容框架 | 第24-26页 |
3.3 规则文件主体函数实现 | 第26-30页 |
3.3.1 NMOS源漏栅接电源的检查 | 第26页 |
3.3.2 NMOS源漏接PAD的检查 | 第26-27页 |
3.3.3 NMOS/PMOS栅接PAD的检查 | 第27-28页 |
3.3.4 NMOS衬底连接检查 | 第28-29页 |
3.3.5 PMOS衬底连接检查 | 第29-30页 |
3.3.6 PMOS源漏栅接地的检查 | 第30页 |
3.4 本章小结 | 第30-31页 |
4. PERC规则文件应用功能补充 | 第31-38页 |
4.1 补充功能介绍 | 第31页 |
4.2 规则文件中补充功能的实现 | 第31-37页 |
4.2.1 多电源域下高压MOS管接低压MOS管的检查 | 第31-34页 |
4.2.2 多电源域下低压MOS管源直接接高压电源的检查 | 第34-36页 |
4.2.3 MOS管栅极浮空的检查 | 第36-37页 |
4.3 本章小结 | 第37-38页 |
5. 0.13um EEPROM工艺项目基于PERC工具的电学可靠性验证 | 第38-55页 |
5.1 0.13um EEPROM工艺项目情况介绍 | 第38页 |
5.2 规则文件局部修改 | 第38-40页 |
5.2.1 特殊器件的定义 | 第39页 |
5.2.2 规则文件中电阻值计算实现 | 第39-40页 |
5.3 两种验证方式过程和步骤 | 第40-47页 |
5.3.1 PERC规则文件验证方式 | 第40-43页 |
5.3.2 内部脚本验证方式 | 第43-47页 |
5.4 两种验证方式对比总结 | 第47-50页 |
5.4.1 验证过程步骤对比 | 第47-48页 |
5.4.2 验证效率和资源对比 | 第48页 |
5.4.3 验证功能对比 | 第48-50页 |
5.5 规则文件应用于版图验证 | 第50-54页 |
5.5.1 PERC版图验证的要求 | 第50页 |
5.5.2 PERC应用于版图验证举例 | 第50-54页 |
5.6 本章小结 | 第54-55页 |
6. PERC电学可靠性验证自动化流程实现 | 第55-59页 |
6.1 手动填写信息统计 | 第55-56页 |
6.2 配置文件格式确定 | 第56-57页 |
6.3 自动化流程目标和步骤 | 第57-58页 |
6.4 本章小结 | 第58-59页 |
7. 工作总结与展望 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |