| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 双面化学机械抛光基本原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 双面化学机械抛光均匀性影响因素分析 | 第15-26页 |
| 2.1 单晶硅片双面抛光化学反应机理 | 第15-16页 |
| 2.2 单晶硅片双面抛光材料去除机理 | 第16-19页 |
| 2.2.1 单晶硅片抛光技术 | 第16-18页 |
| 2.2.2 双面化学机械抛光材料去除模型 | 第18-19页 |
| 2.3 单晶硅片双面抛光均匀性影响因素分析 | 第19-23页 |
| 2.3.1 上下抛光盘转速对双面抛光均匀性的影响 | 第19-21页 |
| 2.3.2 抛光压力对双面抛光均匀性的影响 | 第21页 |
| 2.3.3 抛光液入口形式的影响 | 第21页 |
| 2.3.4 抛光垫的影响 | 第21页 |
| 2.3.5 温度的影响 | 第21-22页 |
| 2.3.6 抛光液PH值的影响 | 第22页 |
| 2.3.7 磨料粒径大小的影响 | 第22-23页 |
| 2.4 CFD方法和FLUENT软件简介 | 第23-25页 |
| 2.4.1 计算流体力学CFD的概述 | 第23-25页 |
| 2.4.2 FLUENT软件简介 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于FLUENT软件的双面抛光均匀性影响因素仿真 | 第26-47页 |
| 3.1 速度对双面抛光均匀性的影响 | 第26-29页 |
| 3.1.1 建立流场域几何模型 | 第26页 |
| 3.1.2 建立流场域网格 | 第26页 |
| 3.1.3 确定边界条件 | 第26-27页 |
| 3.1.4 仿真计算结果及分析 | 第27-29页 |
| 3.2 抛光压力对双面抛光均匀性的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.1 建立流场域几何模型和流场域网格 | 第29-30页 |
| 3.2.2 确定边界条件 | 第30页 |
| 3.2.3 仿真计算结果及分析 | 第30-32页 |
| 3.3 抛光液流场入口形式对均匀性的影响 | 第32-46页 |
| 3.3.1 流场域几何模型的建立 | 第32-34页 |
| 3.3.2 流场域网格的建立 | 第34-35页 |
| 3.3.3 确定边界条件 | 第35页 |
| 3.3.4 仿真计算结果及分析 | 第35-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 单晶硅片双面抛光均匀性实验研究 | 第47-54页 |
| 4.1 实验装置 | 第47页 |
| 4.2 实验材料及其工艺 | 第47-48页 |
| 4.3 抛光后单晶硅片表面的处理 | 第48页 |
| 4.4 工艺参数对抛光均匀性的影响及分析 | 第48-50页 |
| 4.4.1 抛光压力对抛光均匀性的影响及分析 | 第49-50页 |
| 4.4.2 抛光速度对抛光均匀性的影响及分析 | 第50页 |
| 4.5 工艺参数对材料去除率和表面粗糙度的影响及分析 | 第50-53页 |
| 4.5.1 抛光压力对材料去除率和表面粗糙度的影响及分析 | 第51-52页 |
| 4.5.2 抛光速度对材料去除率和表面粗糙度的影响及分析 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间的学术成果 | 第60页 |
