| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·阻变存储器的工作机理 | 第12-16页 |
| ·熔丝反熔丝模型 | 第13-14页 |
| ·电化学原理（ECM）模型 | 第14-15页 |
| ·离子价变（VCM）模型 | 第15-16页 |
| ·阻变存储器模拟的国内外研究现状 | 第16-17页 |
| ·Monte Carlo 方法模拟 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究意义与内容 | 第18-20页 |
| 第二章 基于电化学原理 RRAM 的 Monte Carlo 仿真分析 | 第20-29页 |
| ·电化学导电细丝 RRAM 的 Monte Carlo 模拟仿真流程 | 第20-22页 |
| ·基于阴极导电细丝的 ECM RRAM 的 KMC 模拟仿真步骤 | 第22-24页 |
| ·阴极导电细丝机理的 RRAM 仿真结果与分析 | 第24-28页 |
| ·仿真 IV 曲线及导电细丝生长的非均匀性 | 第24-26页 |
| ·阻变层厚度对阻变转变时间的影响 | 第26-27页 |
| ·导电细丝的形貌分析 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 双极型 RRAM 器件二维尺寸因素影响的模拟分析. | 第29-33页 |
| ·双极型 RRAM 结构仿真计算方法 | 第29页 |
| ·二维尺度效应：器件电学特性变化 | 第29-30页 |
| ·二维尺度效应：均匀性的改善 | 第30-31页 |
| ·二维尺度效应：局域热效应 | 第31-33页 |
| 第四章 VCM 原理 RRAM 的仿真模拟. | 第33-43页 |
| ·基于势阱辅助隧穿效应的电子占有率计算 | 第33-35页 |
| ·电子占有率计算模型的建立 | 第35-36页 |
| ·电子占有率模拟仿真结果分析 | 第36-38页 |
| ·双极型氧空位器件阻变过程描述与建模 | 第38-39页 |
| ·Forming 阻变过程的模拟仿真 | 第39-40页 |
| ·Reset 阻变过程的模拟仿真 | 第40-42页 |
| ·本章总结 | 第42-43页 |
| 第五章 Cu/VOx/W 结构阻变存储器的制备与表征 | 第43-50页 |
| ·VOx阻变器件的制备 | 第43-44页 |
| ·VOx阻变器件物理特性表征 | 第44-46页 |
| ·VOx器件的电学性能表征与分析 | 第46-49页 |
| ·Cu/VOx/W 结构器件电学性质与电化学模型仿真的比较与分析 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
