| Abstract | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Contents | 第9-11页 |
| Chapter 1 Introduction | 第11-19页 |
| ·Fundamental Concepts | 第11-13页 |
| ·Some Trends and Reliability Concerns in Electronic Packaging | 第13-16页 |
| ·Research Objectives | 第16-17页 |
| ·Dissertation Organization | 第17-19页 |
| Chapter 2 Literature review | 第19-30页 |
| ·TM in conductive parts | 第19-28页 |
| ·Remaining problems | 第28-30页 |
| Chapter 3 TM apparatus and specimen structure design | 第30-46页 |
| ·Apparatus design | 第31页 |
| ·Specimen design | 第31-44页 |
| ·Summary | 第44-46页 |
| Chapter 4 TM in eutectic SnPb solder layer | 第46-74页 |
| ·Novel apparatus and specimen | 第46-49页 |
| ·Experimental | 第49-50页 |
| ·FE simulation | 第50-51页 |
| ·Experimental and simulation results | 第51-59页 |
| ·Theoretical analysis for atomic directional migration during TM | 第59-67页 |
| ·Theoretical calculation for TM key parameters | 第67-72页 |
| ·Summary | 第72-74页 |
| Chapter 5 TM in SnPb composite solder bumps at low ambient temperature | 第74-106页 |
| ·Experimental | 第74-76页 |
| ·FE simulation | 第76-78页 |
| ·Experimental and simulation results | 第78-95页 |
| ·Theoretical calculation for TM in the composite solder bump | 第95-97页 |
| ·TM impact on the IMC growth in the composite solder bump | 第97-103页 |
| ·Summary | 第103-106页 |
| Chapter 6 TM in SnPb composite solder bumps at high ambient temperature | 第106-128页 |
| ·Experimental | 第106页 |
| ·FE simulation | 第106-107页 |
| ·Experimental and simulation results | 第107-118页 |
| ·Analysis and discussion | 第118-125页 |
| ·Summary | 第125-128页 |
| Chapter 7 Conclusions and innovations | 第128-133页 |
| ·Main Conclusions and Findings | 第128-131页 |
| ·Innovations of this thesis | 第131-133页 |
| Acknowledgement | 第133-134页 |
| Bibliography | 第134-141页 |
| Publications from this work | 第141页 |
