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新一代集成电路Cu互连用Ta基扩散阻挡层的制备及特性研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 绪论第8-25页
   ·互连的定义和面临的挑战第8-9页
     ·互连的定义第8页
     ·"互连危机"第8-9页
   ·Cu互连的优势及存在的问题第9-13页
     ·Cu互连的优势第9-11页
     ·Cu互连的应用和发展状况第11-12页
     ·Cu互连存在的问题第12-13页
   ·扩散阻挡层第13-21页
     ·扩散阻挡层的性能要求第13-15页
     ·扩散阻挡层的分类第15-16页
     ·扩散阻挡层的制备工艺第16-18页
     ·扩散阻挡层材料第18-21页
     ·扩散阻挡层的发展趋势第21页
   ·本研究的意义、目的及采用的技术路线第21-25页
     ·研究意义和目的第21-22页
     ·本研究的技术路线第22-25页
第二章 阻挡层薄膜的制备及特性表征方法第25-39页
   ·阻挡层薄膜的制备第25-32页
     ·磁控溅射原理及设备第25-26页
     ·薄膜的快速热处理技术第26-27页
     ·阻挡层薄膜工艺优化探讨第27-30页
     ·Cu/barrier/Si体系制备工艺第30-32页
   ·阻挡层薄膜特性的表征方法第32-38页
     ·薄膜成分第32页
     ·薄膜方块电阻及电阻率第32-34页
     ·薄膜厚度第34-35页
     ·薄膜组织结构第35-36页
     ·薄膜表面形貌第36-37页
     ·薄膜扩散阻挡特性第37-38页
   ·本章小结第38-39页
第三章 N掺杂对Ta薄膜特性的影响第39-50页
   ·Ta靶功率对薄膜特性的影响第39-44页
     ·Ta靶功率对Ta薄膜特性的影响第39-43页
     ·Ta靶功率对Cu/Ta多层膜系特性的影响第43-44页
   ·N含量对薄膜特性的影响第44-48页
     ·N含量对TaN_x薄膜特性的影响第44-47页
     ·N含量对Cu/TaN_x多层膜特性的影响第47-48页
   ·本章小结第48-50页
第四章 Al掺杂对TaN_x薄膜特性的影响第50-58页
   ·Al含量对薄膜特性的影响第50-55页
     ·Al含量对Ta-Al-N薄膜特性的影响第50-53页
     ·Al含量对Cu/Ta-Al-N多层膜特性的影响第53-55页
   ·改善薄膜阻挡特性的其他方法探讨第55-57页
   ·本章小结第57-58页
第五章 纳米Ta基薄膜扩散阻挡特性的比较研究第58-72页
   ·纳米Ta和TaN_x薄膜扩散阻挡特性的比较研究第58-65页
     ·Cu/Ta/Si体系的结构形貌研究第58-60页
     ·Cu/TaN_x/Si体系的结构形貌研究第60-62页
     ·Ta和TaN_x阻挡层的失效机制研究第62-64页
     ·N掺杂的微观机理第64-65页
   ·纳米TaN_x和Ta-Al-N薄膜扩散阻挡特性的比较研究第65-69页
     ·Cu/Ta-Al-N/Si体系的结构形貌研究第65-69页
     ·Ta-Al-N阻挡层的失效机制研究第69页
     ·Al掺杂的微观机理第69页
   ·对今后工作的几点建议第69-70页
   ·本章小结第70-72页
第六章 结论第72-74页
参考文献第74-82页
致谢第82-83页
攻读学位期间主要的研究成果第83页

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