| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-11页 |
| ·本论文研究内容及章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 应变Si/应变 SiGe 基本物理特性研究 | 第13-23页 |
| ·应变 Si/应变SiGe 形成机理 | 第13-17页 |
| ·应变Si 能带结构 | 第17-20页 |
| ·应变 Si 导带结构 | 第17-18页 |
| ·应变 Si 价带结构 | 第18-20页 |
| ·应变 Si 载流子迁移率增强机理 | 第20-21页 |
| ·本章小节 | 第21-23页 |
| 第三章 应变Si/应变 SiGe 空穴散射机制研究 | 第23-47页 |
| ·半导体的主要散射机制 | 第23-24页 |
| ·散射的量子力学基础 | 第24-31页 |
| ·应变Si 及应变SiGe 主要散射机制 | 第31-39页 |
| ·离化杂质散射 | 第31-33页 |
| ·声学声子散射 | 第33-35页 |
| ·非极性光学声子散射 | 第35-38页 |
| ·合金散射 | 第38-39页 |
| ·应变Si/应变 SiGe 散射几率研究与仿真结果 | 第39-45页 |
| ·价带态密度有效质量 | 第39-40页 |
| ·应变 Si 空穴散射几率 | 第40-43页 |
| ·应变 SiGe 空穴散射几率 | 第43-45页 |
| ·本章小节 | 第45-47页 |
| 第四章 空穴迁移率研究及仿真 | 第47-65页 |
| ·应变 Si/应变SiGe 空穴电导有效质量 | 第47-49页 |
| ·应变Si 空穴迁移率 | 第49-56页 |
| ·应变 Si (001)晶面空穴迁移率 | 第50-52页 |
| ·应变 Si (101)晶面空穴迁移率 | 第52-54页 |
| ·应变Si (111)晶面空穴迁移率 | 第54-56页 |
| ·应变SiGe 空穴迁移率 | 第56-63页 |
| ·应变 SiGe (001)晶面空穴迁移率 | 第56-59页 |
| ·应变SiGe (101)晶面空穴迁移率 | 第59-61页 |
| ·应变SiGe (111)晶面空穴迁移率 | 第61-63页 |
| ·本章小节 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 研究成果 | 第73-74页 |
