超深亚微米集成电路铜互连可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·铜互连技术的发展及存在的主要问题 | 第11-13页 |
| ·本文的研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 铜互连工艺 | 第14-24页 |
| ·铜互连工艺流程 | 第14-16页 |
| ·铜的阻挡层材料 | 第16-18页 |
| ·铜的淀积工艺 | 第18-20页 |
| ·铜的平坦化工艺 | 第20-22页 |
| ·铜互连中的低K材料 | 第22-24页 |
| 第三章 铜互连电迁移研究 | 第24-33页 |
| ·铜互连和铝互连的比较 | 第24-27页 |
| ·材料特性比较 | 第24页 |
| ·互连制造工艺比较 | 第24-26页 |
| ·互连结构的比较 | 第26-27页 |
| ·电迁移物理 | 第27-30页 |
| ·电迁移中的离子流 | 第27-29页 |
| ·电迁移失效的物理参数 | 第29-30页 |
| ·影响铜互连电迁移的主要因素 | 第30-33页 |
| 第四章 铜互连应力研究 | 第33-45页 |
| ·物理模型 | 第33-36页 |
| ·无限及半无限长互连线 | 第36-38页 |
| ·有限长互连线 | 第38-39页 |
| ·模拟结果及分析 | 第39-45页 |
| 第五章 阻挡层对铜互连电迁移影响的研究 | 第45-51页 |
| ·阻挡层对电迁移的影响 | 第45页 |
| ·物理模型 | 第45-47页 |
| ·数值分析 | 第47-50页 |
| ·DC偏置 | 第47-49页 |
| ·DC脉冲偏置 | 第49-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第六章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 研究成果 | 第57-58页 |
