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双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
专用术语注释表第8-9页
第一章 绪论第9-20页
    1.1 有机场效应晶体管简介第9-10页
        1.1.1 有机场效应晶体管的研究进展第9-10页
        1.1.2 有机场效应晶体管的优点与应用第10页
    1.2 有机发光场效应晶体管的诞生第10-11页
    1.3 有机发光场效应晶体管的研究进展第11-18页
        1.3.1 单极型OLETs第11-12页
        1.3.2 异质结结构的OLETs第12-14页
        1.3.3 单层结构的双极型OLETs第14-18页
    1.4 有机发光场效应晶体管的研究意义和面临的挑战第18页
    1.5 本文工作第18-20页
第二章 相关背景知识介绍第20-26页
    2.1 有机场效应晶体管的结构第20-21页
    2.2 有机场效应晶体管的性能参数第21-23页
        2.2.1 有机场效应晶体管的转移和输出特性曲线第21-22页
        2.2.2 有机场效应晶体管的载流子迁移率和阈值电压的计算第22-23页
    2.3 有机发光场效应晶体管的工作原理第23-25页
        2.3.1 单极型OLETs的工作原理第23页
        2.3.2 单层双极型OLETs的工作原理第23-24页
        2.3.3 层异质结型OLETs的工作原理第24-25页
    2.4 有机发光场效应晶体管的性能参数第25页
    2.5 本章小结第25-26页
第三章 基于P13、DH6T的单层有机场效应晶体管的制备第26-38页
    3.1 空穴和电子传输材料的选择第26-27页
    3.2 基于P13的n-型有机场效应晶体管的制备和电学性能的研究第27-33页
        3.2.1 器件的制备过程第27-28页
        3.2.2 Si/SiO_2/P13(28nm)/Au器件的电学性能第28-30页
        3.2.3 P13层的厚度对器件性能的影响第30-33页
    3.3 Si/SiO_2/DH6T/Au结构的器件的制备以及衬底温度对器件电学性能的影响的研究第33-36页
    3.4 本章小结第36-38页
第四章 双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备第38-51页
    4.1 Si/SiO_2/P13/DH6T/Au结构的双极性器件的制备和电学性能的研究第38-42页
    4.2 使用MoO_3修饰Au电极对器件性能的提高第42-45页
        4.2.1 Si/SiO_2/P13(28nm)/DH6T(25nm)/MoO_3/Au器件的电学性能第43-44页
        4.2.2 对Si/V/P13(28nm)/DH6T(25nm)/MoO_3/Au器件的发光现象的描述第44-45页
    4.3 不对称电极的运用第45-46页
        4.3.1 不对称电极的制备第45-46页
        4.3.2 使用Au/Al不对称电极的器件第46页
    4.4 其他双层异质结有机发光场效应晶体管的制备第46-49页
        4.4.1 Si/SiO_2/P13(28nm)/Pentacene(30nm)/Au结构的器件的电学性能第47-48页
        4.4.2 对P13/Pentacene层异质结结构的OLETs器件的发光现象的描述第48-49页
    4.5 本章小结第49-51页
第五章 使用双层有机绝缘层PMMA/交联PVP的OLETs第51-60页
    5.1 有机绝缘层的制备过程第51-52页
    5.2 基于P13/DH6T的双层异质结构的PMMA/交联PVP双层有机绝缘层器件第52-54页
        5.2.1 器件的制备第52页
        5.2.2 器件的电学性能第52-54页
    5.3 Si片经紫外-臭氧处理的双层有机绝缘层器件的电学性能第54-56页
    5.4 PMMA的浓度的提高对双层有机绝缘层器件的电学性能的影响第56-58页
    5.5 对双层有机绝缘层器件的发光现象的描述第58-59页
    5.6 本章小结第59-60页
第六章 总结与展望第60-63页
    6.1 工作总结第60-61页
    6.2 本文创新点第61页
    6.3 未来展望第61-63页
参考文献第63-69页
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文第69-70页
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利第70-71页
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目第71-72页
致谢第72页

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