摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
专用术语注释表 | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 有机场效应晶体管简介 | 第9-10页 |
1.1.1 有机场效应晶体管的研究进展 | 第9-10页 |
1.1.2 有机场效应晶体管的优点与应用 | 第10页 |
1.2 有机发光场效应晶体管的诞生 | 第10-11页 |
1.3 有机发光场效应晶体管的研究进展 | 第11-18页 |
1.3.1 单极型OLETs | 第11-12页 |
1.3.2 异质结结构的OLETs | 第12-14页 |
1.3.3 单层结构的双极型OLETs | 第14-18页 |
1.4 有机发光场效应晶体管的研究意义和面临的挑战 | 第18页 |
1.5 本文工作 | 第18-20页 |
第二章 相关背景知识介绍 | 第20-26页 |
2.1 有机场效应晶体管的结构 | 第20-21页 |
2.2 有机场效应晶体管的性能参数 | 第21-23页 |
2.2.1 有机场效应晶体管的转移和输出特性曲线 | 第21-22页 |
2.2.2 有机场效应晶体管的载流子迁移率和阈值电压的计算 | 第22-23页 |
2.3 有机发光场效应晶体管的工作原理 | 第23-25页 |
2.3.1 单极型OLETs的工作原理 | 第23页 |
2.3.2 单层双极型OLETs的工作原理 | 第23-24页 |
2.3.3 层异质结型OLETs的工作原理 | 第24-25页 |
2.4 有机发光场效应晶体管的性能参数 | 第25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 基于P13、DH6T的单层有机场效应晶体管的制备 | 第26-38页 |
3.1 空穴和电子传输材料的选择 | 第26-27页 |
3.2 基于P13的n-型有机场效应晶体管的制备和电学性能的研究 | 第27-33页 |
3.2.1 器件的制备过程 | 第27-28页 |
3.2.2 Si/SiO_2/P13(28nm)/Au器件的电学性能 | 第28-30页 |
3.2.3 P13层的厚度对器件性能的影响 | 第30-33页 |
3.3 Si/SiO_2/DH6T/Au结构的器件的制备以及衬底温度对器件电学性能的影响的研究 | 第33-36页 |
3.4 本章小结 | 第36-38页 |
第四章 双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备 | 第38-51页 |
4.1 Si/SiO_2/P13/DH6T/Au结构的双极性器件的制备和电学性能的研究 | 第38-42页 |
4.2 使用MoO_3修饰Au电极对器件性能的提高 | 第42-45页 |
4.2.1 Si/SiO_2/P13(28nm)/DH6T(25nm)/MoO_3/Au器件的电学性能 | 第43-44页 |
4.2.2 对Si/V/P13(28nm)/DH6T(25nm)/MoO_3/Au器件的发光现象的描述 | 第44-45页 |
4.3 不对称电极的运用 | 第45-46页 |
4.3.1 不对称电极的制备 | 第45-46页 |
4.3.2 使用Au/Al不对称电极的器件 | 第46页 |
4.4 其他双层异质结有机发光场效应晶体管的制备 | 第46-49页 |
4.4.1 Si/SiO_2/P13(28nm)/Pentacene(30nm)/Au结构的器件的电学性能 | 第47-48页 |
4.4.2 对P13/Pentacene层异质结结构的OLETs器件的发光现象的描述 | 第48-49页 |
4.5 本章小结 | 第49-51页 |
第五章 使用双层有机绝缘层PMMA/交联PVP的OLETs | 第51-60页 |
5.1 有机绝缘层的制备过程 | 第51-52页 |
5.2 基于P13/DH6T的双层异质结构的PMMA/交联PVP双层有机绝缘层器件 | 第52-54页 |
5.2.1 器件的制备 | 第52页 |
5.2.2 器件的电学性能 | 第52-54页 |
5.3 Si片经紫外-臭氧处理的双层有机绝缘层器件的电学性能 | 第54-56页 |
5.4 PMMA的浓度的提高对双层有机绝缘层器件的电学性能的影响 | 第56-58页 |
5.5 对双层有机绝缘层器件的发光现象的描述 | 第58-59页 |
5.6 本章小结 | 第59-60页 |
第六章 总结与展望 | 第60-63页 |
6.1 工作总结 | 第60-61页 |
6.2 本文创新点 | 第61页 |
6.3 未来展望 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第69-70页 |
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第70-71页 |
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |