| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-32页 |
| 1.1 电子封装概述 | 第8-11页 |
| 1.1.1 电子封装的定义和作用 | 第8-10页 |
| 1.1.2 电子封装技术的发展阶段 | 第10-11页 |
| 1.2 BGA 封装 | 第11-16页 |
| 1.2.1 BGA 封装的分类 | 第12页 |
| 1.2.2 BGA 封装的优点 | 第12-13页 |
| 1.2.3 Sn 基 BGA 焊球 | 第13-16页 |
| 1.3 复合 BGA 焊点 | 第16-22页 |
| 1.3.1 纳米增强相焊点 | 第16-17页 |
| 1.3.2 核壳焊点 | 第17-22页 |
| 1.4 电迁移 | 第22-31页 |
| 1.4.1 电迁移的微观机制 | 第23-26页 |
| 1.4.2 电迁移的影响因素 | 第26-31页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 实验方法和有限元模拟 | 第32-39页 |
| 2.1 实验材料 | 第32页 |
| 2.2 电迁移实验 | 第32-36页 |
| 2.2.1 Sn 基焊球的制备 | 第32-34页 |
| 2.2.2 电迁移样品制备 | 第34页 |
| 2.2.3 电迁移实验 | 第34-35页 |
| 2.2.4 拉伸实验 | 第35-36页 |
| 2.3 测试方法 | 第36-37页 |
| 2.3.1 样品形貌观察 | 第36页 |
| 2.3.2 样品成分的表征 | 第36-37页 |
| 2.4 有限元分析技术 | 第37-39页 |
| 第三章 Cu 核 Sn 焊点电迁移行为研究 | 第39-52页 |
| 3.1 电流密度分布 | 第39-42页 |
| 3.2 电迁移的极性效应 | 第42-44页 |
| 3.3 Sn 晶粒的转动 | 第44-50页 |
| 3.3.1 空位浓度引起的晶粒转动 | 第44-47页 |
| 3.3.2 电迁移与热膨胀导致晶粒转动 | 第47-50页 |
| 3.4 金属间化合物的生长情况 | 第50-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 Cu 核 Sn58Bi 电迁移行为研究 | 第52-69页 |
| 4.1 Cu 核 Sn58Bi 焊点的电迁移行为研究 | 第53-61页 |
| 4.1.1 Cu 核的加入对富 Bi 相分布的影响 | 第53-55页 |
| 4.1.2 电迁移极化效应驱动下的 Cu 核形貌 | 第55-56页 |
| 4.1.3 电流密度梯度驱动下的富 Bi 相的重新排布 | 第56-60页 |
| 4.1.4 Cu 核 Sn58Bi 焊点的失效模式 | 第60-61页 |
| 4.2 传统 Sn58Bi 焊点的电迁移行为研究 | 第61-65页 |
| 4.3 Cu 核 Sn58Bi 焊点和传统 Sn58Bi 焊点通电后的机械性能 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-81页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
