摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
·前言 | 第10-11页 |
·研究范围及最终目标 | 第11-12页 |
·研究范围 | 第11-12页 |
·研究目标及成果形式 | 第12页 |
·课题的实用价值和理论意义 | 第12-13页 |
·微组装工艺技术概况 | 第13-15页 |
第二章 粘接/烧结工艺技术研究 | 第15-19页 |
·基板粘接/烧结工艺技术分析 | 第15-16页 |
·基板粘接/烧结工艺简介 | 第15页 |
·基板粘接/烧结工艺要求 | 第15页 |
·基板粘接/烧结工艺重点 | 第15-16页 |
·基板粘接/烧结工艺流程设计及重点工艺研究 | 第16-18页 |
·基板的准备 | 第16页 |
·基板清洗(重点工艺) | 第16-17页 |
·腔体的准备和清洗 | 第17页 |
·焊料/导电胶的准备(重点工艺) | 第17-18页 |
·装夹 | 第18页 |
·焊料烧结/导电胶固化 | 第18页 |
·清理、检验 | 第18页 |
·本章小结 | 第18-19页 |
第三章 芯片粘接/共晶工艺技术研究 | 第19-41页 |
·芯片粘接工艺技术分析 | 第19-24页 |
·芯片粘接工艺简介 | 第19页 |
·芯片粘接原理 | 第19-20页 |
·影响芯片粘接的关键因素 | 第20-23页 |
·芯片粘接工艺的优缺点 | 第23-24页 |
·芯片共晶工艺技术分析 | 第24-27页 |
·芯片共晶工艺简介 | 第24页 |
·芯片共晶原理 | 第24-25页 |
·影响芯片共晶的关键因素 | 第25-26页 |
·芯片共晶工艺的优缺点 | 第26-27页 |
·芯片粘接工艺与共晶工艺的比较 | 第27-28页 |
·粘接和共晶材料电热机械性能比较 | 第27页 |
·芯片粘接工艺与共晶工艺适用范围 | 第27页 |
·本课题芯片互连工艺的选择 | 第27-28页 |
·芯片互连工艺失效模式、不良现象分析及解决方法 | 第28-31页 |
·失效模式分析 | 第28-30页 |
·不良原因及相应措施 | 第30-31页 |
·芯片共晶质量的检验内容及技术要求 | 第31-32页 |
·目检内容及技术要求 | 第31页 |
·剪切力检测 | 第31页 |
·空洞率检测 | 第31-32页 |
·芯片共晶工艺开发及实验 | 第32-36页 |
·芯片共晶要求 | 第32页 |
·开发所用设备Westbond7367E 镊子共晶机参数调节设置 | 第32-33页 |
·实验情况 | 第33-36页 |
·实验结果达标情况 | 第36页 |
·芯片共晶工艺流程设计 | 第36-39页 |
·设备、材料与工具的准备 | 第36页 |
·陶瓷基板等离子清洗 | 第36-37页 |
·载体清洗 | 第37页 |
·合金焊料准备 | 第37页 |
·载体、陶瓷基板加热 | 第37页 |
·共晶 | 第37-39页 |
·检验 | 第39页 |
·本章小结 | 第39-41页 |
第四章 金丝键合工艺技术研究 | 第41-69页 |
·金丝键合工艺技术分析 | 第41-54页 |
·金丝键合工艺简介 | 第41-51页 |
·金丝键合工艺原理 | 第51-52页 |
·影响金丝键合质量的关键因素 | 第52-54页 |
·金丝键合的失效模式、不良现象及解决方法 | 第54-58页 |
·失效模式及解决方法 | 第54-56页 |
·不良现象及解决方法 | 第56-58页 |
·金丝键合质量的检验内容及技术要求 | 第58页 |
·目检内容及技术要求 | 第58页 |
·拉力测试内容及技术要求 | 第58页 |
·金丝键合工艺开发及实验 | 第58-66页 |
·金丝键合要求 | 第58-59页 |
·开发所用设备参数设置 | 第59-60页 |
·实验情况 | 第60-65页 |
·实验结果达标情况 | 第65-66页 |
·金丝键合工艺流程设计 | 第66-68页 |
·设备、材料与工具的准备 | 第66页 |
·键合准备 | 第66页 |
·键合 | 第66-68页 |
·清理 | 第68页 |
·检验 | 第68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
第五章 结论 | 第69-71页 |
·主要工作回顾 | 第69-70页 |
·本课题的意义和作用 | 第70-71页 |
·课题在实际应用方面的意义和作用 | 第70页 |
·课题在研究领域的意义和作用 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-73页 |
学期间成果 | 第73-74页 |