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面向IC制造装备的电磁场有限元分析

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-13页
    1.1 集成电路装备制造业概况第9-10页
    1.2 IC工艺装备的数值仿真第10-11页
    1.3 IC装备中的电磁场仿真第11页
    1.4 电磁场数值方法及有限元法第11-12页
    1.5 本文研究内容第12-13页
2 高频电磁场有限元第13-26页
    2.1 电磁场的基本理论第13-15页
        2.1.1 麦克斯韦方程组第13-14页
        2.1.2 时谐场的麦克斯韦方程组第14页
        2.1.3 波动方程及其边界条件第14-15页
    2.2 电磁场有限元法第15-26页
        2.2.1 有限元方法的原理第15-18页
        2.2.2 三维高频时谐场有限元问题第18-23页
        2.2.3 有限元方程组的求解第23-26页
3 低频三维正弦稳态场的节点有限元第26-35页
    3.1 求解区域的定义第26-27页
    3.2 用场矢量表示的定解问题第27-28页
    3.3 三维正弦稳态涡流场问题的数学模型第28-35页
        3.3.1 余量的加权积分及其化简第28-32页
        3.3.2 单元分析第32-34页
        3.3.3 总体合成第34页
        3.3.4 单元系数矩阵与单元右端向量中各元素的计算第34-35页
4 IC装备的电磁场有限元仿真第35-47页
    4.1 基于ANSYS的PECVD腔体低频电磁场模拟第36-42页
        4.1.1 低频交流电路的有限元模拟第36-37页
        4.1.2 反应腔室低频谐态电磁场分析第37-42页
    4.2 基于Ansoft HFSS的PECVD腔体高频电磁场本征模态分析第42-46页
        4.2.1 问题描述第42页
        4.2.2 模型设定第42页
        4.2.3 不同模态下的电磁场分布及频率第42-46页
    4.3 结果分析第46-47页
5 PECVD的电磁场参数化分析第47-58页
    5.1 PECVD腔体低频电磁场参数化分析第47-53页
    5.2 PECVD腔体高频电磁场本征模态参数化分析第53-57页
    5.3 结论第57-58页
结论第58-59页
参考文献第59-61页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第61-62页
致谢第62-63页

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