摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-13页 |
1.1 集成电路装备制造业概况 | 第9-10页 |
1.2 IC工艺装备的数值仿真 | 第10-11页 |
1.3 IC装备中的电磁场仿真 | 第11页 |
1.4 电磁场数值方法及有限元法 | 第11-12页 |
1.5 本文研究内容 | 第12-13页 |
2 高频电磁场有限元 | 第13-26页 |
2.1 电磁场的基本理论 | 第13-15页 |
2.1.1 麦克斯韦方程组 | 第13-14页 |
2.1.2 时谐场的麦克斯韦方程组 | 第14页 |
2.1.3 波动方程及其边界条件 | 第14-15页 |
2.2 电磁场有限元法 | 第15-26页 |
2.2.1 有限元方法的原理 | 第15-18页 |
2.2.2 三维高频时谐场有限元问题 | 第18-23页 |
2.2.3 有限元方程组的求解 | 第23-26页 |
3 低频三维正弦稳态场的节点有限元 | 第26-35页 |
3.1 求解区域的定义 | 第26-27页 |
3.2 用场矢量表示的定解问题 | 第27-28页 |
3.3 三维正弦稳态涡流场问题的数学模型 | 第28-35页 |
3.3.1 余量的加权积分及其化简 | 第28-32页 |
3.3.2 单元分析 | 第32-34页 |
3.3.3 总体合成 | 第34页 |
3.3.4 单元系数矩阵与单元右端向量中各元素的计算 | 第34-35页 |
4 IC装备的电磁场有限元仿真 | 第35-47页 |
4.1 基于ANSYS的PECVD腔体低频电磁场模拟 | 第36-42页 |
4.1.1 低频交流电路的有限元模拟 | 第36-37页 |
4.1.2 反应腔室低频谐态电磁场分析 | 第37-42页 |
4.2 基于Ansoft HFSS的PECVD腔体高频电磁场本征模态分析 | 第42-46页 |
4.2.1 问题描述 | 第42页 |
4.2.2 模型设定 | 第42页 |
4.2.3 不同模态下的电磁场分布及频率 | 第42-46页 |
4.3 结果分析 | 第46-47页 |
5 PECVD的电磁场参数化分析 | 第47-58页 |
5.1 PECVD腔体低频电磁场参数化分析 | 第47-53页 |
5.2 PECVD腔体高频电磁场本征模态参数化分析 | 第53-57页 |
5.3 结论 | 第57-58页 |
结论 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |