| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·SOI总剂量辐射效应 | 第11-13页 |
| ·辐射环境 | 第11-12页 |
| ·总剂量辐射效应 | 第12-13页 |
| ·总剂量辐射效应对器件电学特性的影响 | 第13页 |
| ·研究的必要性 | 第13-14页 |
| ·本论文研究内容和结构安排 | 第14-17页 |
| ·论文的内容及研究意义 | 第14-15页 |
| ·论文安排 | 第15-17页 |
| 第二章 总剂量辐射效应机理与模型 | 第17-20页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·总剂量辐射效应物理机理 | 第17-18页 |
| ·总剂量辐射模型 | 第18-20页 |
| 第三章 改进型总剂量辐射效应物理机理与CAD模型的构建 | 第20-52页 |
| ·改进型总剂量辐射模型的构建过程 | 第20-24页 |
| ·空穴产生模型 | 第20-21页 |
| ·空穴俘获模型 | 第21-23页 |
| ·空间电荷累积模型 | 第23页 |
| ·子过程中使用的模型简述 | 第23-24页 |
| ·光能量沉积机理与模型的构建 | 第24-29页 |
| ·传统模型中的缺陷 | 第24-25页 |
| ·光子能量的衰减 | 第25-28页 |
| ·光子的能量沉积 | 第28-29页 |
| ·其它光子能量沉积情况 | 第29页 |
| ·空穴产额与俘获界面的初始模型 | 第29-31页 |
| ·空穴产额模型 | 第30页 |
| ·俘获截面模型 | 第30-31页 |
| ·初始内建电场模型的构建 | 第31-43页 |
| ·传统模型的缺陷 | 第32页 |
| ·MOS器件氧化层中电场分布总体情况 | 第32-37页 |
| ·初始内部电场的求解 | 第37-43页 |
| ·氧化层动态电场模型构建 | 第43-47页 |
| ·前栅氧化层变化电场模型 | 第44-45页 |
| ·背栅氧化层变化电场模型 | 第45-47页 |
| ·改进总剂量效应模型构建 | 第47-51页 |
| ·三个过程中分别使用的模型 | 第47-48页 |
| ·前栅氧化层空间电荷积累的总模型 | 第48-49页 |
| ·背栅氧化层空间电荷积累的总模型 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第四章改进型总剂量辐射效应软件设计 | 第52-66页 |
| ·总体考虑 | 第52页 |
| ·辐射粒子模型属性 | 第52-54页 |
| ·辐射粒子的物理属性 | 第53页 |
| ·辐射粒子的实验属性 | 第53页 |
| ·辐射粒子的总属性 | 第53-54页 |
| ·器件结构属性 | 第54-58页 |
| ·材料属性 | 第54页 |
| ·物理尺寸属性 | 第54-55页 |
| ·器件层属性 | 第55-56页 |
| ·器件的物理属性 | 第56-57页 |
| ·器件的实验属性 | 第57页 |
| ·器件的总属性 | 第57-58页 |
| ·初始条件与总体迭代过程简述 | 第58-61页 |
| ·初始条件的求解 | 第58-59页 |
| ·迭代算法 | 第59-61页 |
| ·程序界面的设计 | 第61-65页 |
| ·器件自身属性输入界面 | 第62页 |
| ·实验条件输入界面 | 第62-63页 |
| ·输出界面 | 第63-64页 |
| ·主界面 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 改性型总剂量辐射效应模型及程序软件的验证 | 第66-80页 |
| ·验证方案 | 第66-67页 |
| ·阈值电压 | 第66-67页 |
| ·I-V特性曲线 | 第67页 |
| ·实测数据的获得 | 第67页 |
| ·Sentaurus TCAD仿真软件简介 | 第67-68页 |
| ·NMOS电学特性对比与模型验证情况 | 第68-74页 |
| ·辐射前电学特性验证分析 | 第69-71页 |
| ·辐射后电学特性仿真 | 第71-74页 |
| ·PMOS电学特性对比与模型验证 | 第74-78页 |
| ·辐射前电学特性仿真 | 第75-76页 |
| ·辐射后电学特性仿真 | 第76-78页 |
| ·小结 | 第78-80页 |
| 第六章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |