| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·硅基工艺的毫米波集成电路背景 | 第13-14页 |
| ·毫米波的特点及其应用 | 第13页 |
| ·硅基工艺的特点 | 第13-14页 |
| ·60GHz及高于 100GHz频率技术的研究意义 | 第14-15页 |
| ·60GHz研究意义 | 第14-15页 |
| ·高于100GHz频率技术研究意义 | 第15页 |
| ·硅基毫米波功率放大器国内外的研究现状 | 第15-19页 |
| ·基于CMOS工艺的 60GHz功率放大器的研究状况 | 第15-17页 |
| ·基于硅基工艺工作在 100GHz的功率放大器的研究 | 第17-19页 |
| ·本课题的研究内容及论文结构 | 第19-21页 |
| 第二章 功率放大器基础 | 第21-38页 |
| ·功率放大器的分类 | 第21页 |
| ·功率放大器的性能指标 | 第21-28页 |
| ·输出功率 | 第22页 |
| ·增益 | 第22-23页 |
| ·效率 | 第23-24页 |
| ·线性度 | 第24-27页 |
| ·稳定性 | 第27-28页 |
| ·毫米波硅基功率放大器挑战与机遇 | 第28-29页 |
| ·硅基工艺晶体管的截止频率 | 第28页 |
| ·硅基工艺晶体管击穿电压低 | 第28页 |
| ·硅基电路中的损耗 | 第28-29页 |
| ·增益与输出功率的折衷 | 第29页 |
| ·毫米波集成电路的设计方法 | 第29-31页 |
| ·毫米波CMOS功率放大器常用设计方法 | 第31-37页 |
| ·单路式功率放大器 | 第31-35页 |
| ·变压器差分功率合成 | 第35页 |
| ·威尔金森功率合成 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 60GHz CMOS功率放大器设计 | 第38-54页 |
| ·性能指标 | 第38页 |
| ·工艺介绍 | 第38-41页 |
| ·工艺层 | 第38-39页 |
| ·MOS管 | 第39-40页 |
| ·电容 | 第40-41页 |
| ·技术分析 | 第41页 |
| ·电路结构 | 第41页 |
| ·匹配网络 | 第41页 |
| ·电路设计 | 第41-45页 |
| ·电路结构的选择 | 第41-42页 |
| ·MOS管尺寸的选择 | 第42页 |
| ·电路结构选择 | 第42-45页 |
| ·电路结构选择 | 第45页 |
| ·版图设计 | 第45-46页 |
| ·仿真结果 | 第46-47页 |
| ·测试 | 第47-49页 |
| ·测试方案 | 第47-48页 |
| ·测试平台搭建 | 第48-49页 |
| ·流片失败原因分析 | 第49-52页 |
| ·本章总结 | 第52-54页 |
| 第四章 150GHz SiGe BiCMOS全差分功率放大器 | 第54-65页 |
| ·性能指标 | 第54页 |
| ·工艺介绍 | 第54-56页 |
| ·工艺层 | 第54-55页 |
| ·HBT | 第55页 |
| ·电容 | 第55-56页 |
| ·电路设计 | 第56-58页 |
| ·偏置及HBT尺寸的选择 | 第56-58页 |
| ·电路结构的选择 | 第58页 |
| ·电路仿真 | 第58-61页 |
| ·巴伦设计 | 第58-60页 |
| ·级间电感仿真 | 第60-61页 |
| ·整体版图的EM仿真 | 第61页 |
| ·版图设计 | 第61-62页 |
| ·仿真结果 | 第62-63页 |
| ·性能对比 | 第63页 |
| ·本章总结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第65页 |
| ·展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 | 第72页 |
