考虑工艺波动和散射效应的纳米级CMOS互连线特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究背景 | 第7-9页 |
| ·研究意义 | 第9-10页 |
| ·本文的基本框架及内容 | 第10-13页 |
| 第二章 互连线性能参数 | 第13-23页 |
| ·互连线寄生参数 | 第13-16页 |
| ·互连电阻 | 第13-14页 |
| ·互连电容 | 第14-15页 |
| ·互连电感 | 第15-16页 |
| ·互连树性能参数 | 第16-20页 |
| ·Elmore延时模型 | 第16-18页 |
| ·等效Elmore延时模型 | 第18-20页 |
| ·插入最优缓冲器的互连线性能参数 | 第20-22页 |
| ·延时 | 第21页 |
| ·功耗 | 第21-22页 |
| ·面积 | 第22页 |
| ·带宽 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 工艺波动对互连寄生参数的影响 | 第23-29页 |
| ·互连工艺波动问题 | 第23-25页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第25-27页 |
| ·蒙特卡罗方法基本思路 | 第25-26页 |
| ·随机变量的正态分布 | 第26-27页 |
| ·考虑工艺波动的互连参数的线性近似模型 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 考虑工艺波动的RCL统计延时模型 | 第29-37页 |
| ·多项式混沌理论和伽辽金法 | 第29-31页 |
| ·多项式混沌理论 | 第29-30页 |
| ·伽辽金法 | 第30-31页 |
| ·考虑工艺波动的矩的线性近似模型 | 第31-32页 |
| ·考虑工艺波动的RCL统计延时模型 | 第32-34页 |
| ·模型验证与讨论 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 考虑散射效应的互连特性 | 第37-43页 |
| ·互连散射效应问题 | 第37-38页 |
| ·考虑散射效应的电阻率模型 | 第38-40页 |
| ·考虑散射效应的互连性能模型 | 第40-42页 |
| ·延时 | 第40-41页 |
| ·带宽 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 基于多目标的互连尺寸优化模型 | 第43-57页 |
| ·两种优化方法概述 | 第43-45页 |
| ·不考虑散射效应的互连尺寸优化模型 | 第45-51页 |
| ·多目标性能 | 第45-46页 |
| ·互连尺寸优化模型 | 第46-50页 |
| ·模型验证与讨论 | 第50-51页 |
| ·考虑散射效应的互连尺寸优化模型 | 第51-56页 |
| ·多目标性能 | 第51页 |
| ·互连尺寸优化模型 | 第51-54页 |
| ·模型验证与分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 研究成果 | 第66-67页 |
