| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·集成电路(integrated circuit,IC)发展概述 | 第10页 |
| ·IC中的金属互连线系统及RC延迟 | 第10-12页 |
| ·铜互连线技术 | 第12-14页 |
| ·铜和介电材料的兼容问题 | 第12-13页 |
| ·铜的刻蚀问题 | 第13-14页 |
| ·选择性化学气相沉积 | 第14-16页 |
| ·化学气相沉积 | 第14页 |
| ·选择性化学气相沉积 | 第14-16页 |
| ·自组装单分子膜(self-assembled monolayers,SAMs) | 第16-21页 |
| ·自组装单分子膜简介 | 第16-18页 |
| ·自组装单分子膜作为扩散阻挡层 | 第18页 |
| ·自组装单分子膜的修饰 | 第18-21页 |
| ·本论文的工作 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 在MPTMS-SAMs上选择性化学气相沉积铜薄膜 | 第25-54页 |
| ·前言 | 第25-27页 |
| ·实验准备 | 第27-31页 |
| ·实验药品与材料 | 第27-28页 |
| ·实验仪器 | 第28-30页 |
| ·分析仪器 | 第30-31页 |
| ·实验步骤 | 第31-34页 |
| ·硅片的清洗(标准RCA清洗) | 第31-32页 |
| ·MPTMS-SAMs的成长 | 第32-33页 |
| ·紫外光照 | 第33页 |
| ·CVD铜薄膜进程 | 第33-34页 |
| ·实验结果与讨论 | 第34-50页 |
| ·MPTMS自组装单分子膜的表征 | 第34-36页 |
| ·MPTMS-SAMs紫外光照前后的表征 | 第36-39页 |
| ·MPTMS-SAMs上的选择性化学气相沉积 | 第39-44页 |
| ·MPTMS-SAMs上化学气相沉积选择性的讨论 | 第44-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第三章 在PTMS-SAMs上选择性化学气相沉积铜薄膜 | 第54-73页 |
| ·前言 | 第54-55页 |
| ·实验准备 | 第55-57页 |
| ·实验药品与材料 | 第55-56页 |
| ·实验仪器 | 第56页 |
| ·分析仪器 | 第56-57页 |
| ·实验步骤 | 第57-58页 |
| ·硅片的清洗 | 第57页 |
| ·PTMS-SAMs的成长 | 第57页 |
| ·紫外光照 | 第57页 |
| ·CVD铜薄膜进程 | 第57-58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-71页 |
| ·PTMS自组装单分子膜的表征 | 第58-59页 |
| ·PTMS-SAMs紫外光照前后的表征 | 第59-62页 |
| ·PTMS-SAMs上的选择性化学气相沉积 | 第62-68页 |
| ·温度和时间对PTMS-SAMs上化学气相沉积铜选择性的影响 | 第68-69页 |
| ·MPTMS-SAMs和PTMS-SAMs上选择性化学气相沉积铜的比较 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第四章 总结和展望 | 第73-75页 |
| 硕士期间成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
