| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 电子封装技术 | 第9-15页 |
| 1.1.1 电子封装概述 | 第10-13页 |
| 1.1.2 晶圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术概述 | 第13-14页 |
| 1.1.3 电子封装技术的发展趋势及新领域 | 第14-15页 |
| 1.2 无铅钎料 | 第15-18页 |
| 1.2.1 电子封装中的无铅化趋势 | 第15-16页 |
| 1.2.2 电子封装中无铅钎料合金的应用 | 第16-18页 |
| 1.3 无铅焊点可靠性问题 | 第18-19页 |
| 1.4 无铅焊点的跌落可靠性 | 第19-23页 |
| 1.4.1 跌落可靠性研究的物理机制 | 第19-21页 |
| 1.4.2 跌落可靠性的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4.3 跌落可靠性研究的必要性 | 第22-23页 |
| 1.5 研究目的和主要研究内容 | 第23-24页 |
| 2 实验材料与实验方法 | 第24-34页 |
| 2.1 实验原理 | 第24-26页 |
| 2.1.1 JEDEC标准 | 第24-26页 |
| 2.1.2 时效处理 | 第26页 |
| 2.1.3 热循环处理 | 第26页 |
| 2.2 实验装置及条件 | 第26-31页 |
| 2.2.1 跌落实验装置及条件 | 第26-28页 |
| 2.2.2 应变信号采集装置 | 第28-29页 |
| 2.2.3 时效装置及条件 | 第29-30页 |
| 2.2.4 热循环装置及条件 | 第30-31页 |
| 2.3 实验材料及基本步骤 | 第31-32页 |
| 2.4 技术路线 | 第32-33页 |
| 2.5 实验表征 | 第33-34页 |
| 3 不同跌落条件下WLCSP器件的失效模式研究 | 第34-47页 |
| 3.1 WLCSP器件初始形貌 | 第34-36页 |
| 3.2 JEDEC标准下WLCSP器件跌落失效模式研究 | 第36-39页 |
| 3.3 2900g、0.3 ms条件下5000次跌落后WLCSP器件失效模式研究 | 第39-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 跌落冲击下WLCSP器件的应变响应与可靠性研究 | 第47-58页 |
| 4.1. WLCSP器件200次跌落寿命失效应变门槛值研究 | 第47-53页 |
| 4.2 不同冲击脉宽对WLCSP器件应变及跌落可靠性的影响 | 第53-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
