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锗硅宽带低噪声放大器和激光驱动器集成电路设计研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·课题研究背景及意义第7-9页
     ·无线通信系统中的宽带低噪声放大器第7-8页
     ·光纤通信系统中的激光驱动器电路第8-9页
   ·SiGe HBT 工艺的优势以及国内外 SiGe HBT 电路的发展现状第9-11页
   ·本论文的重点和贡献第11-12页
   ·后续的章节安排第12-13页
第二章 射频和高速集成电路设计理论基础第13-28页
   ·宽带低噪声放大器理论基础第13-18页
     ·设计宽带低噪声放大器的常用技术第13-15页
     ·宽带低噪声放大器的主要指标的介绍第15-18页
   ·光纤通信系统的理论基础第18-27页
     ·光纤通信系统的介绍第18-19页
     ·激光驱动器的主要组成部分第19-20页
     ·激光驱动器与激光二极管的接口连接方式第20-23页
     ·激光驱动器的主要性能指标第23-27页
   ·本章小结第27-28页
第三章 宽带低噪声放大器电路的分析和设计第28-46页
   ·宽带低噪声放大器电路拓扑结构第28-29页
   ·宽带电阻反馈放大器的分析第29-40页
     ·电压增益和电流增益第29-33页
     ·输入电阻和输出电阻第33-34页
     ·开环极点第34-39页
     ·噪声性能第39-40页
   ·设计步骤第40-44页
   ·本章小结第44-46页
第四章 宽带低噪声放大器芯片的后端设计及流片测试第46-54页
   ·华虹 BIS500g 工艺介绍第46页
   ·宽带低噪声放大器电路的版图布局第46-48页
     ·版图设计环境简介第47页
     ·版图布局布线的一些考虑第47-48页
   ·芯片的测试和分析第48-53页
   ·本章小结第53-54页
第五章 高速激光驱动器的分析和设计第54-62页
   ·激光驱动器主通道电路的基本框图第54页
   ·主通道电路模块的详细分析和设计第54-61页
     ·输入缓冲级第55-56页
     ·预驱动第一级第56-57页
     ·预驱动第二级第57-59页
     ·输出电流开关级第59-61页
   ·本章小结第61-62页
第六章 激光驱动器的版图设计以及仿真结果第62-69页
   ·华虹 0.18μm SiGe BiCMOS 工艺库第62页
   ·激光驱动器的版图布局以及一些考虑第62-64页
   ·激光驱动器的仿真结果第64-67页
   ·本章小结第67-69页
第七章 总结和展望第69-71页
   ·论文工作的总结第69-70页
   ·进一步研究的工作第70-71页
参考文献第71-74页
发表论文和科研情况说明第74-75页
致谢第75页

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