基于InGaAs/InP雪崩二极管的单光子探测关键技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·单光子探测器的应用和发展现状 | 第7-8页 |
| ·单光子探测的器件和方法 | 第8-16页 |
| ·光电倍增管（PMT） | 第8-9页 |
| ·雪崩光电二极管（APD） | 第9-11页 |
| ·超导转换边缘传感器（TES） | 第11-12页 |
| ·超导体单光子探测器（SSPD） | 第12-13页 |
| ·量子点场效应管（QDFET） | 第13-14页 |
| ·频率转换技术 | 第14-15页 |
| ·小结 | 第15-16页 |
| ·论文的主要内容和意义 | 第16-17页 |
| 第二章 近红外单光子探测技术的研究 | 第17-30页 |
| ·InGaAs/InPAPD 的工作原理 | 第17-18页 |
| ·APD 的性能参数 | 第18-20页 |
| ·单光子探测器的三种工作模式 | 第20-23页 |
| ·无源抑制（passive quenching） | 第20-21页 |
| ·有源抑制（active quenching） | 第21-22页 |
| ·门模模式（gate mode） | 第22-23页 |
| ·门控模式下尖峰噪声的抑制 | 第23-29页 |
| ·差分电路法 | 第23-24页 |
| ·同轴电缆反射法 | 第24-25页 |
| ·双 APD 平衡法 | 第25-26页 |
| ·负脉冲检测法 | 第26-27页 |
| ·正弦波脉冲法 | 第27-28页 |
| ·自差分平衡法 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于负脉冲检测法的单光子探测器设计 | 第30-36页 |
| ·APD 的雪崩电压测量 | 第30-31页 |
| ·系统时钟电路 | 第31-32页 |
| ·雪崩信号的提取 | 第32-33页 |
| ·单光子探测器系统实验装置 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 单光子探测器的性能测量 | 第36-45页 |
| ·APD 雪崩信号的输出与测量 | 第36-39页 |
| ·APD 响应时间的测量 | 第39-40页 |
| ·量子效率与暗计数的测量 | 第40-42页 |
| ·等效噪声功率 | 第42-43页 |
| ·系统的改进方案 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结与展望 | 第45-49页 |
| ·本论文的工作总结 | 第45-46页 |
| ·课题的展望 | 第46-49页 |
| ·下一步工作的展望 | 第46页 |
| ·可分辨光子数的单光子探测器 | 第46-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
