| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景及动机 | 第7-8页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·研究动机 | 第8页 |
| ·文献回顾 | 第8-9页 |
| ·本文研究目标及主要工作 | 第9-11页 |
| ·课题来源 | 第9页 |
| ·本文研究目标 | 第9-10页 |
| ·本文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 基础理论 | 第11-29页 |
| ·平面问题的应力与应变 | 第11-14页 |
| ·弹塑性材料力学有限单元基础理论 | 第14-16页 |
| ·锡球外形预估理论 | 第16-19页 |
| ·截球法（Truncated Sphere Method） | 第16-18页 |
| ·力平衡解析法（Force-balanced Analytical Solution） | 第18页 |
| ·能量法（Energy-based algorithm） | 第18-19页 |
| ·破坏准则 | 第19-21页 |
| ·最大主应力失效准则（Rankine’s Theory） | 第19-20页 |
| ·最大剪应力失效准则（Tresca Theory） | 第20页 |
| ·变形能失效准则（von Mises Theory） | 第20-21页 |
| ·热应力与应变的本构关系 | 第21-22页 |
| ·热应力对可靠度的影响与加速因子评估 | 第22-24页 |
| ·封装结构的接点热疲劳寿命预测与可靠度分析 | 第24-25页 |
| ·金属界层成长的扩散效应 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 模型简化及建模方法 | 第29-53页 |
| ·3D IC 封装模型架构 | 第29-32页 |
| ·试片制程 | 第29-30页 |
| ·模型建构 | 第30-32页 |
| ·覆晶封装的建模方法 | 第32-42页 |
| ·单元类型 | 第33页 |
| ·材料特性 | 第33-34页 |
| ·几何模型 | 第34-39页 |
| ·网格划分 | 第39-41页 |
| ·边界载荷 | 第41-42页 |
| ·3D IC 模型的简化 | 第42-46页 |
| ·假设预焊球外形为圆柱形 | 第43页 |
| ·简化实验 IMC 凸块接点层 | 第43-44页 |
| ·省略 TSV 结构 | 第44-45页 |
| ·其他简化及假设 | 第45页 |
| ·分别选定 Cu/Sn 及 Cu/Ni/In 构成 IMC 焊点 | 第45-46页 |
| ·3D IC 结构的建模方法 | 第46-51页 |
| ·单元类型与材料特性 | 第46-47页 |
| ·几何模型 | 第47-48页 |
| ·网格划分 | 第48-50页 |
| ·边界载荷 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 有限元素方法模拟结果 | 第53-79页 |
| ·覆晶封装锡球的可靠度分析 | 第53-59页 |
| ·判定锡球破坏起始点（Initial crack point） | 第53-56页 |
| ·锡球站立高度与接触角对锡球寿命的影响 | 第56-59页 |
| ·覆晶封装芯片尺寸效应 | 第59-64页 |
| ·底胶对锡球可靠度的影响 | 第61页 |
| ·芯片尺寸对锡球可靠度的影响 | 第61-64页 |
| ·IMC 焊点结构对 3D IC 封装的影响 | 第64-78页 |
| ·不同 IMC 焊点下的芯片破坏分析 | 第65-73页 |
| ·In 层的破坏模式分析 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| ·本文总结 | 第79-80页 |
| ·未来工作与展望 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
